温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体结构，它包括含Ｃｏ的衬垫，布置在吸氧层与含金属的导电材料之间。含Ｃｏ的衬垫、吸氧层和含金属的导电材料形成ＭＯＬ金属化层，其中含Ｃｏ的衬垫取代了传统的ＴｉＮ衬垫。“含Ｃｏ”意指衬垫单独地包括元素Ｃｏ，或包括元素Ｃｏ和Ｐ或Ｂ...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。