半导体装置和制造该半导体装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括：第一导电类型的半导体基底；以及开关机构，其形成在所述半导体基底的第一主表面上，并切换电流的导通／关断。在半导体基底中，多个柱形异质半导体区间隔开地形成在半导体基底内，该异质半导体区由具有带隙与半导体基底的带隙不同的半导体材料制成，并在第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面之间延伸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
早期的技术包括例如在“Proceedings of 2004 InternationalSymposium Power Semiconductor Device & ICs，Kitakyushu，p.459-462”中描述的所谓超级结(superjunction，SJ)功率MOS FET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。虽然使用Si(硅)作为SJ-MOSFET的材料，但SJ-MOSFET能超过由Si材料所确定的理论性能的限制。而且，在SJ-MOSFET中，p和n杂质区是在基体部分(body portion)的漂移区(driftregion)中以夹心状形成的。在这种结构中，耗尽层沿水平方向延伸，因此它可能在整个漂移区同时耗尽，这在早期的结构中是不可能的。因此，与早期的结构相比，该结构能在p型区中获得更高的杂质浓度和更低的导通电阻。
技术实现思路
由于p型和n型柱形结构的需要，上述SJ结构需要在深度取决于元件击穿电压的n型半导体衬底上形成p型柱形结构。因此，元件的形成包括多阶段外延生长的工艺、以及在外延生长工艺后在图案化区域上引入杂质的工艺。这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：第一导电类型的半导体基底；以及开关机构，其形成在所述半导体基底的第一主表面上，并切换电流的导通／关断，其中，在所述半导体基底内间隔排列有多个柱形异质半导体区，所述异质半导体区由带隙与所述半导体基底的带隙不同的半导体材料制成并在所述第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面之间延伸。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括第一导电类型的半导体基底；以及开关机构，其形成在所述半导体基底的第一主表面上，并切换电流的导通/关断，其中，在所述半导体基底内间隔排列有多个柱形异质半导体区，所述异质半导体区由带隙与所述半导体基底的带隙不同的半导体材料制成并在所述第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面之间延伸。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基底由碳化硅、氮化镓和金刚石中的任一种制成，所述异质半导体区由单晶硅、多晶硅和非晶硅中的至少一种制成。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：下井田良雄，星正胜，林哲也，田中秀明，
申请(专利权)人：日产自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]