【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺中的化学机械研磨制程，具体涉及一种减少化学机械研磨过程中图案凹陷的方法。
技术介绍
半导体器件制造工艺中，广泛使用化学机械研磨(CMP，ChemicalMechanical polishing)系统进行平整处理。研磨装置一般包括研磨台(其上铺有研磨垫)和研磨头(其上有需研磨的半导体晶片)。半导体晶片被固定在研磨头上，研磨垫面对要抛光的半导体晶片，在研磨半导体晶片时，研磨垫在具有研磨粒子的研磨液存在下，以一定压力接触和研磨半导体晶片，使其表面趋于平整。化学机械研磨制程通常会涉及金属和多晶硅的研磨，由于CMP制程耗材的特征，CMP制程的耗材包括研磨垫，研磨液等，这些耗材的特性使化学机械研磨会引起大图案凹陷(dishing)。即使在设计规则里尽量避免出现所述的大图案，也会导致巨大的良率损失。随着集成电路制造技术的发展，对大图案的需求增加，有些时候图案尺寸甚至超过10000μm×10000μm，而由于上述问题的存在，这些大图案区域将出现大于2000的凹陷，这会引起器件失效。图1a和图1b显示了金属图案密集区域在化学机械研磨前后的晶片纵切面...
【技术保护点】
一种在金属和多晶硅化学机械研磨中减少大图案凹陷的方法，其特征在于包括下列步骤：１）在需要研磨的晶片上涂覆光刻胶，曝光显影，使大图案区域被光刻胶覆盖，露出其余区域；２）对露出的区域进行回蚀，留下２００＊～７００＊被研磨材料层； ３）对晶片进行修饰性化学机械研磨，结束后使晶片进入后续制程。
【技术特征摘要】
1.一种在金属和多晶硅化学机械研磨中减少大图案凹陷的方法，其特征在于包括下列步骤1)在需要研磨的晶片上涂覆光刻胶，曝光显影，使大图案区域被光刻胶覆盖，露出其余区域；2)对露出的区域进行回蚀，留下200～700被研磨材料层；3)对晶片进行修饰性化学机械研磨，结束后使晶片进入后续制程。2.如权利要求1所述的方法，其中步骤2)中蚀刻的方法是干...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋莉，邹陆军，李绍彬，许丹，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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