原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法技术

本发明专利技术提供一种原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法，用于动态随机存取存储器的电容结构制造工艺，可防止多晶硅材料在后续制程被氧化，这种方法是在沉积介电常数材料形成电容器中的电介质制程之前，以原子层沉积的方式在多晶硅材料的底部电极上沉积层氮化硅（Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］）作为氧化阻挡层，防止多晶硅材料在后续制程被氧化。相对于通过氮化制程防止多晶硅被氧化的方式，本发明专利技术的方法可以进一步提升电容器性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工业中动态随机存取存储器的电容结构制造工艺，具体涉及一种防止所述电容结构的多晶硅材料在制程中被氧化的方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(dynamic random access memory；DRAM)是集成电路中的一种器件结构，其存储单元是利用一个很小的电容存储电荷来保持信息。存储在电容上的电荷会逐渐泄漏，因此必须在电荷完全泄漏掉以前，重新写入信息，即存储单元必须被刷新。电容器是DRAM单元用来存储信号的核心部分，电容器能储存的电荷越多，读出放大器在读取资料时受到影响会较小，而且可降低再次补充电荷的频率。一般增加电容器储存电荷能力的方法为1、增加电介质的介电常数，提高电容器单位面积储存电荷数；2、减小介电层的厚度；3、增加电容器面积使储存在整个电容器中的电荷数增加。典型的动态随机存储器结构的制作过程，是在半导体的衬底上制造金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和电容器，利用接触窗连接电容器的电荷存储电极(storage node)和金属氧化物场效应晶体管的源极作电接触，通过电容器和源极区的电接触，数位资料信息储存在电容器并通过金属氧化物场效应晶体管(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法，用于动态随机存取存储器的电容结构制造工艺，防止多晶硅材料在后续制程被氧化，其特征在于：沉积介电常数材料形成电容器中的电介质制程之前，以原子层沉积的方式在多晶硅材料的底部电极上沉积层氮化硅（Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］）作为氧化阻挡层。

【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法，用于动态随机存取存储器的电容结构制造工艺，防止多晶硅材料在后续制程被氧化，其特征在于沉积介电常数材料形成电容器中的电介质制程之前，以原子层沉积的方式在多晶硅材料的底部电极上沉积层氮化硅(Si3N4)作为氧化阻挡层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，以原子层沉积的方式在底部电极上沉积层氮化硅(Si3N4)作为氧化阻挡层时，控制其沉积厚度在1～...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴金刚，三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]