提高存储单元电容器面积的方法技术

本发明专利技术涉及提高ＤＲＡＭ存储单元电容器面积的方法，该方法包括：在硅衬底上形成ＤＲＡＭ的字线；在硅衬底上形成浅沟隔离；制作位线；电介质覆盖，并形成存储电容的接触窗；填充材料到接触窗；交替形成两种电介质层；第一次刻蚀形成电容器图案；第二次刻蚀形成两种电介质层的不同刻蚀度；进行电容器的制作。由于该方法采用两种电介质材料和两步刻蚀方法，使两种电介质材料的刻蚀速率不同，因此，得到不规则的表面，由此增加其存储单元电容的面积，从而提高存储单元电容值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)存储电容的制作方法，特别是涉及利用多层未掺杂玻璃(UndopedSilicon Glass，USG)和硼磷硅玻璃(Borophosphosilicate Glass，BPSG)提高DRAM存储单元电容器面积的方法。
技术介绍
高密度和高性能的DRAM需要足够的存储单元电容。随着DRAM尺寸的降低和密度的提高，电容器关键尺寸越来越小。为了满足电容要求，本领域的技术人员作了很多努力以提高电容，如应用HSG(HemisphericGrain)和寻找如Al2O3、HfO2(Hafnium oxide)或Ta2O5的高介电常数电介质。现在常用的是Al2O3，正在开发HfO2，Ta2O5，大使后者的漏电流太大，会影响产品的可靠性。随着半导体存储器件的高度集成，单位单元的面积以及单元之间的间距减小，但是又需要在小区域内具有大电容量的电容器，以提供预定的电容量。如本领域的普通技术人员公知的，半导体存储器件的电容器包括存储节点电极的下电极、也称为极板电极的上电极以及两者之间的电介质层。确保电容器的本文档来自技高网...

【技术保护点】
提高ＤＲＡＭ存储单元电容器面积的方法，包括：　　　　在硅衬底上形成ＤＲＡＭ的字线；　　　　在硅衬底上形成浅沟隔离；　　　　制作位线；　　　　电介质覆盖，并形成存储电容的接触窗；　　　　填充材料到接触窗；　　　　交替形成两种电介质层；　　　　第一次刻蚀形成电容器图案；　　　　第二次刻蚀形成两种电介质层的不同刻蚀度；　　　　进行电容器的后续制程。

【技术特征摘要】
1.提高DRAM存储单元电容器面积的方法，包括在硅衬底上形成DRAM的字线；在硅衬底上形成浅沟隔离；制作位线；电介质覆盖，并形成存储电容的接触窗；填充材料到接触窗；交替形成两种电介质层；第一次刻蚀形成电容器图案；第二次刻蚀形成两种电介质层的不同刻蚀度；进行电容器的后续制程。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的两种电介质层材料为掺杂硅玻璃和未掺杂硅玻璃。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的掺杂硅玻璃是硼磷硅玻璃(BPSG)。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的掺杂硅玻璃是磷硅玻璃(PSG)。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的掺杂硅玻璃是硼硅玻璃(BSG)。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的未...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴金刚，三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]