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本发明涉及提高ＤＲＡＭ存储单元电容器面积的方法，该方法包括：在硅衬底上形成ＤＲＡＭ的字线；在硅衬底上形成浅沟隔离；制作位线；电介质覆盖，并形成存储电容的接触窗；填充材料到接触窗；交替形成两种电介质层；第一次刻蚀形成电容器图案；第二次刻蚀形成...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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