使基于模型的光学近似修正更精确的方法技术

一种使基于模型的光学近似修正更精确的方法，其特征在于：在进行基于模型的光学近似修正之前，先进行基于规则的光学近似修正，其中基于规则的光学近似修正用来补偿模型预测数据和真实晶片数据之间的偏移量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺中的光学近似修正方法，具体涉及。
技术介绍
光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是其中最复杂的一项技术。相对于其他的单个制造技术来说，光刻对芯片性能的提高有着革命性的贡献。在光刻工艺开始之前，集成电路的结构会先通过特定的设备复制到一块较大(相对于生产用的硅片来说)名为掩膜版的石英玻璃片上，然后通过光刻设备产生特定波长的光(如248微米的紫外线)将掩膜版上集成电路的结构复制到生产芯片所用的硅片上。在这个从掩膜版复制硅片过程中，会产生电路结构的失真。尤其是到了现在180微米及以下制造工艺阶段，这种失真如果不去改正的话会造成整个制造技术的失败。这种失真是由于光学近似效应(Optical Proximity Effect)造成的。要改正这种失真，半导体业界的普遍做法是利用预选在掩膜版上进行结构补偿的方法，这项技术又称作光学近似效应修正，简称OPC(Optical ProximityEffect Correction)。通过计算集成电路生产中光刻工艺产生的一些数据来进行预先对掩膜版上电路结构进行补偿，从而达到在硅片上芯片电路结构最小程度的失真，这提高了芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种使基于模型的光学近似修正更精确的方法，其特征在于在进行基于模型的光学近似修正之前，先进行基于规则的光学近似修正，其中基于规则的光学近似修正用来补偿模型预测数据和真实晶片数据之间的偏移量。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于包括以下步骤比较晶片的实际关键尺寸和由数据模型模拟得到的关键尺寸，发现数据模型稳定并且呈收敛性但是拟合误差超出预期范围，据...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪齐元，高根生，张斌，邓泽希，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：