一种应用反散射带的方法技术

本发明专利技术提供一种应用反散射带的方法，主要应用在半导体制程中基于规则的光学近似修正中。按照本发明专利技术的方法，利用散射带对半导体器件特征图案进行光学近似修正的时候，对其中的隔离线形图案和隔离沟道图案分别形成散射带并进行修正。通过这样的方法，可以很容易地进行反散射带的插入，扩大制程窗口，从而提高晶片容许测试或者良率性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺中的光学近似修正方法，尤其涉及在基于规则的光学近似修正中使用反散射带的方法。
技术介绍
散射带(Scattering Bar)是一种可靠并且有效的光学邻近修正(OPC，Optical Proximity Correction)技术，其为一种次分辨率结构，通常被设置在光掩膜上靠近隔离导线或者半隔离导线的位置，使它们的图像和密集导线相类似。反散射带(Anti-Scattering Bar)则是散射带的逆转(inverse)结构，这两者可以改变隔离导线和半隔离导线的强光度影像斜率，协助维持不同间距的适当焦距深度，减少像差效果和微距色散。散射带和反散射带是基于规则的光学邻近修正中的一种技术。在半导体制造工艺中，下至90nm或者更先进的技术节点，散射带的应用渐渐成为一种至关重要的方法，用来保证整个图案化制程。特别对于隔离沟道特征来说，即使早已应用了散射带的策略，其印刷方法仍然需要改进。传统的逆转散射带插入方法过于复杂，它同时涉及到隔离沟道经过光学近似修正后的尺寸以及其与主要特征间的距离，这样的方法不容易被实施，需要进行比较复杂的运算，花费比较多的时间完成插入。如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用反散射带的方法，其特征在于包括以下步骤：先按照传统的方法用标准的散射带规则仅对图案中的隔离线状图案形成散射带层Ｂ，作为参照层；以层Ｂ为参照层，对特征图案层Ａ进行修正，这样隔离线状图案将作为密集环境被修正，但是特征图案中的隔离沟道结构仍然作为单独区域被修正；另外形成一层散射带层Ｃ，其仅作为隔离沟道的环境，修正规则和形成层Ａ的规则一致，然后对层Ｃ和层Ｂ以外的部分进行布尔运算，在主要特征近旁形成小的隔离沟道，即逆转散射带。

【技术特征摘要】
1.一种应用反散射带的方法，其特征在于包括以下步骤先按照传统的方法用标准的散射带规则仅对图案中的隔离线状图案形成散射带层B，作为参照层；以层B为参照层，对特征图案层A进行修正，这样隔离线状图案将作为密集环境被修正，但是特征图案中的隔离沟道结构仍然作为单独区域被修正；另外...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪齐元，王谨恒，张斌，邓泽希，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]