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本发明提供一种原子层沉积形成氮化硅氧化阻挡层的方法，用于动态随机存取存储器的电容结构制造工艺，可防止多晶硅材料在后续制程被氧化，这种方法是在沉积介电常数材料形成电容器中的电介质制程之前，以原子层沉积的方式在多晶硅材料的底部电极上沉积层氮化硅...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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