半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件，其包括：第一绝缘层，其具有用作外键的通孔；存在于该通孔中的剩余的第一金属；以及金属互连，其形成在包括该剩余的第一金属的第一绝缘层上。该金属互连的内键区域被刻蚀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及一种。
技术介绍
在现有技术中，利用测量对准状态的工具在光处理之后在划片道(scribe lane)上形成重叠键(overlay key)。然而，根据现有技术，在重叠键上出现绝缘层的抬升现象，所以 绝缘层的颗粒转移到其他区域，降低了产品的可靠性。在半导体器件的情况下，特别是在例如用于获得高质量图像的 CMOS图像传感器的产品的情况下，当出现绝缘层抬升时产品可能具 有致命缺陷。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种能够防止在重叠键的抬升现象的半导 体器件，以及制造该器件的方法。根据本专利技术实施例的半导体器件包括第一绝缘层，包括用作外 键的通孔；存在于该通孔中的剩余的第一金属；以及金属互连，其形 成在包括该剩余的第一金属的第一绝缘层上，其中金属互连的内键区 域被刻蚀。用于制造根据该实施例的半导体器件的方法包括以下步骤在衬 底的划片道上形成第一绝缘层；通过有选择地刻蚀该第一绝缘层，形 成用作外键的通孔；在通孔中填充第一金属，并然后去除部分的该第一金属；通过使用第二金属在包括剩余的第一金属的第一绝缘层上淀 积金属互连；在该金属互连上形成第二光刻胶膜；以及通过使第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一绝缘层，其包括用作外键的通孔；存在于该通孔中的剩余的第一金属；以及金属互连，其形成在包括该剩余的第一金属的第一绝缘层上，其中该金属互连的内键区域被刻蚀。

【技术特征摘要】
KR 2006-7-27 10-2006-00710491.一种半导体器件，包括第一绝缘层，其包括用作外键的通孔；存在于该通孔中的剩余的第一金属；以及金属互连，其形成在包括该剩余的第一金属的第一绝缘层上，其中该金属互连的内键区域被刻蚀。2，如权利要求l所述的半导体器件，进一步包括 第二绝缘层，其形成在该金属互连以及露出的第一绝缘层上。3. 如权利要求1所述的半导体器件，其中，该半导体器件包括 CMOS图像传感器。4. 如权利要求1所述的半导体器件，其中，该第一金属包括从W、 Al、 Cu、 Ti和TiN组成的组中选择的至少一种。5. 如权利要求1所述的半导体器件，其中，该金属互连包括从Al、 W、 Cu、 Ti、 TiN、 W、 WN、 TiW和TaW组成的组中选择的至少一种。6. 如权利要求l所述的半导体器件，其中，该金属互连围绕该外键。7. 如权利要求2所述的半导体器件，其中，该第二绝缘层不与该 剩余的第一金属接触。8. 如权利要求l所述的半导体器件，其中，该剩余的第一金属剩 余在该通孔的角落上。9. 如权利要求l所述的半导体器件，其中，该金属互连围绕该第 一金属。10. 如权利要求1所述的半导体器件，其中，该金属互连的内键 区域被刻蚀，以露出部分第一绝缘层。11. 一种制造半导体器件的方法，该方法包括步骤 在衬底的划片道上形成第一绝缘层；通过有选择地刻蚀该第一绝缘层形成用作外键的通孔； 在该通孔中填充第一金属，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：金荣毕，
申请(专利权)人：东部高科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]