【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储元件及具有该存储元件的半导体装置。
技术介绍
近年来，具有集成在绝缘表面上的多个电路并具有各种功能的半 导体装置已被开发出来。此外，将由设置在半导体装置上的天线所接 收的电波转换为电能且利用该电能进行数据发射/接收的半导体装置的开发也正在进行。这种半导体装置被称为无线芯片(也称为ID标 签、IC标签、IC芯片、RF (射频)标签、无线标签、电子标签、或 者RFID (射频识别))，并且已被引入一部分市场。这些已被实用化的半导体装置中的许多包括使用如硅等半导体 衬底的电路(也称为IC (集成电路)芯片)和天线。并且该IC芯片 包括存储电路、控制电路等。特别地，通过提供能够存储许多数据的 存储电路，就可提供更高功能且高附加值的半导体装置。然而，虽然 硅衬底昂贵，但是这些半导体装置被要求以低成本来制造。这是因为 像无线芯片那样的小型半导体装置被期待着与一次性商品差不多的需 要的缘故。因此，近年来，在廉价玻璃衬底上形成控制电路、存储电 路且使用可以以低温形成薄膜的有机化合物的有机器件例如有机薄膜 晶体管(以下，也称为有机TFT，，)、有机存储元件等已...
【技术保护点】
一种存储元件，包括：衬底；形成在所述衬底上的第一导电层；以及金属氧化物层、半导体层、有机化合物层、以及第二导电层，其中，所述金属氧化物层、所述半导体层、以及所述有机化合物层被所述第一导电层以及所述第二导电层夹持，并且，所述金属氧化物层与所述第一导电层接触。
【技术特征摘要】
JP 2006-7-28 2006-2066851.一种存储元件，包括衬底；形成在所述衬底上的第一导电层；以及金属氧化物层、半导体层、有机化合物层、以及第二导电层，其中，所述金属氧化物层、所述半导体层、以及所述有机化合物层被所述第一导电层以及所述第二导电层夹持，并且，所述金属氧化物层与所述第一导电层接触。2. 根据权利要求1所述的存储元件，其中所述半导体层与所述金 属氧化物层接触。3. 根据权利要求1所述的存储元件，其中所述半导体层与所述第 二导电层接触。4. 根据权利要求1所述的存储元件，其中所述金属氧化物层为所 述第一导电层所包括的金属的氧化物。5. 根据权利要求1所述的存储元件，其中所述半导体层为不连续层。6. 根据权利要求1所述的存储元件，其中所述半导体层包括选自 氧化钼、氧化锡、氧化铋、氧化钒、氧化钛、氧化铁、氧化铬、氧化 铜、氧化锰硅、氧化镍、氧化锌、硅锗、砷化镓、氮化镓、氧化铟、 磷化铟、氮化铟、硫化镉、碲化镉、以及钬酸锶中的任何一种化合物。7. 根据权利要求1所述的存储元件，其中，所述有机化合物层包括电子传输材料或空穴传输材料， 并且，所述半导体层包括金属氧化物。8. 根据权利要求1所述的存储元件，还包括在所述衬底上的用作 天线的第三导电层。9. 根据权利要求1所述的存储元件，其中所述第一导电层电连接 到薄膜晶体管。10. 根据权利要求1所述的存储元件，其中所述衬底是柔性的。11. 根据权利要求1所述的存储元件，其中所述有机化合物层可 以通过在所迷第一导电层和所述第二导电层之间施加电压来改变其形 状。12. —种半导体装置，包括配置为矩阵状的多个存储元件，该多个存储元件各自包括第一导 电层、金属氧化物层、半导体层、有机化合物层、以及第二导电层，其中，所迷金属氧化物层、所述半导体层、以及所述有机化合物 层被所述第一导电层以及所述第二导电层夹持，并且，所述金属氧化物层与所述第一导电层接触。13. 根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述半导体层与所 述金属氧化物层接触。14. 根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述半导体层与所 述第二导电层接触。15. 根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述金属氧化物层 为所述第一导电层所包括的金属的氧化物。16. 根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述半导体层为不 连续层。17. 根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述半导体层包括 选自氧化钼、氧化锡、氧化铋、氧化钒、氧化钛、氧化铁、氧化铬、 氧化铜、氧化锰硅、氧化镍、氧化锌、硅锗、砷化镓、氮化镓、氧化 铟、磷化铟、氮化铟、疏化镉、碲化镉、以及钬酸锶中的任何一种化 合物。18. 根据权利要求12所述的半导体装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：汤川干央，杉泽希，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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