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本发明公开了一种半导体器件，其包括：第一绝缘层，其具有用作外键的通孔；存在于该通孔中的剩余的第一金属；以及金属互连，其形成在包括该剩余的第一金属的第一绝缘层上。该金属互连的内键区域被刻蚀。...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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