【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，其被采用到通过在其中 形成有多个凹陷的绝缘膜上电镀导电膜的形成工艺，并涉及一种电镀 装置。
技术介绍
在使用铜互连的半导体器件中，随着作为设计规则不断縮小的结 果的互连图案按比例縮小的过程，存在不断提高在通过铜电镀来填充 孔和沟槽方面的性能的需求。美国专利6319831和美国专利6142041描述了其中以较低电流密 度进行第一电镀，并然后以较高电流密度进行第二电镀的工艺过程。日本特开专利公开2001-123298描述了电解电镀技术。在该文献 中，采用由与要电镀的物体相同的材料构成的电极，来确定电流密度 与电极电位之间的数学关系，然后以任意的电位或电流在镀浴中使要 电镀的物体极化。测量该极化的物体的电流值和电位值，然后基于该 数学关系、电流值和电位值计算要电镀的物体的面积。从而将计算的 要电镀的物体的面积用于电解电镀。更具体的，通过利用用于电镀的 光致抗蚀剂的光刻技术，在衬底上形成互连图案，并通过允许衬底极 化来测量电流密度，以确定未被光致抗蚀剂覆盖的电极的面积，也即 要电镀的面积。然后基于电流值计算要电镀的衬底的面积。之后...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，其具有利用导电材料填充设置于在衬底上形成的绝缘膜上的多个凹陷的电镀工艺，其中所述电镀工艺包括：当以所述导电材料填充在所有所述多个凹陷中的不大于预定的宽度的精细凹陷时，以第一电流密度来进行电镀，所述第一电流密 度是通过基于在所述衬底的整个表面上的第一表面积Ｓ↓［１］和在所述衬底的整个表面上的第二表面积Ｓ↓［２］的表面积之比Ｓｒ＝Ｓ↓［１］／Ｓ↓［２］来修正预定的第一基准电流密度而获得的，所述第一表面积包括在所述衬底的整个表面上的所述多个凹陷的侧墙的面积，而所述第二表面积不包括所述多个凹陷的所述侧墙的面积。
【技术特征摘要】
JP 2006-7-27 2006-2045351.一种制造半导体器件的方法，其具有利用导电材料填充设置于在衬底上形成的绝缘膜上的多个凹陷的电镀工艺，其中所述电镀工艺包括当以所述导电材料填充在所有所述多个凹陷中的不大于预定的宽度的精细凹陷时，以第一电流密度来进行电镀，所述第一电流密度是通过基于在所述衬底的整个表面上的第一表面积S1和在所述衬底的整个表面上的第二表面积S2的表面积之比Sr＝S1/S2来修正预定的第一基准电流密度而获得的，所述第一表面积包括在所述衬底的整个表面上的所述多个凹陷的侧墙的面积，而所述第二表面积不包括所述多个凹陷的所述侧墙的面积。2. 如权利要求l所述的制造半导体器件的方法，其中所述第一基 准电流密度是基于所述第二表面积S2设置的；以及所述第一电流密度是所述第一电流基准电流密度和所述表面积之 比Sr的积。3. 如权利要求1所述的制造半导体器件的方法， 其中设置所述第一电流密度，以便使通过将所述第一电流密度除以所述表面积之比Sr而获得的有效电流密度落在预定的范围内。4. 如权利要求3所述的制造半导体器件的方法， 其中所述预定的范围大于等于2 mA/cn^且小于等于6.5 mA/cm2。5. 如权利要求3所述的制造半导体器件的方法，进一步包括 通过预定的范围将所述表面积之比Sr分组，并为每一所述分组设置所述第一电流密度，其中，在所述以所述第一电流密度执行电镀的步骤中，为包含所 述分组的表面积之比Sr的所述分组设置所述第一电流密度。6. 如权利要求l所述的制造半导体器件的方法，其中所述电镀工艺进一步包括，在以所述导电材料填充在所有所 述多个凹陷中不大于所述预定宽度的所述精细凹陷之后，以不同于所 述第一电流密度的第二电流密度进行电镀，以便以所述导电材料填充 所述多个凹陷。7. 如权利要求6所述的制造半导体器件的方法，其中所述第一基准电流密度小于所述第二电流密度。8. 如权利要求6所述的制造半导体器件的方法， 其中所述第二电流密度是基于所述第二表面积S2设置的第二基准电流密度。9. 如权利要求6所述的制造半导体器件的方法， 其中所述第二电流密度是通过基于在所述衬底的整个表面上的第三表面积S3和在所述衬底...
【专利技术属性】
技术研发人员：有田幸司，北尾良平，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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