半导体器件的制造方法技术

一种制造半导体器件的方法，在形成栓塞时，利用导电垫来增大布线与下栓塞之间的对准误差容限，因而避免由于对准差错所造成的接触电阻增大并改善可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：　　　　提供半导体衬底，在所述半导体衬底上独立形成单元区域和外围电路区域并形成多个结区；　　　　在半导体衬底上形成第一层间绝缘膜；　　　　通过蚀刻第一层间绝缘膜的预定区域，在选自所述多个结区的第一结区上形成第一接触孔；　　　　在第一接触孔内部形成第一接触栓塞；　　　　在第一接触栓塞上方形成具有比第一接触栓塞更宽面积的导电垫；　　　　在包括导电垫的整个结构上形成第二层间绝缘膜；　　　　蚀刻第一和第二层间绝缘膜的预定区域，以在选自所述多个结区中的第二结区上方和在第二导电垫上形成第二接触孔；和　　　　在第二接触孔中形成第二接触栓塞。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金相民，郑宇荣，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[]