制造包括纳米结构的PN结的发光二极管的方法及这样获得的二极管技术

本发明专利技术涉及一种包括纳米结构的ＰＮ结的发光二极管，其从第一掺杂剂掺杂的并用薄介电层（２）覆盖的半导体基板（１）制得。接下来，包括与第一掺杂剂相反类型的第二掺杂剂掺杂的半导体材料的非晶薄膜沉积在薄介电层（２）的表面上。然后该组件受到热处理以由非晶薄膜在薄介电层（２）中形成第二掺杂剂掺杂的半导体材料制成的多个纳米岛（５）。前面提及的岛（５）旨在相对于基板（１）外延以形成多个纳米ＰＮ结。接下来通过从所述岛（５）的外延生长形成附加的薄膜（６）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种制造包括由第一掺杂剂掺杂的半导体基板（１、１３）的纳米结构的ｐｎ结发光二极管的方法，该方法特征在于它连续地至少包括：－沉积步骤，由与所述第一掺杂剂的类型相反的类型的第二掺杂剂掺杂的半导体材料形成的非晶薄膜（３）沉积在覆盖所述基板 （１、１３）的介电薄层（２）的表面上，－热处理步骤，设计为在所述介电薄层（２）中并由所述非晶薄膜（３）形成纳米尺寸的由所述第二掺杂剂掺杂的半导体材料制成的多个点（５），这些点与所述基板（１、１３）有外延关系，以形成多个纳米尺寸的ｐｎ 结，－以及附加的薄层（６）的形成步骤，该附加的薄层（６）通过从位于所述介电薄层（２）中的点（５）的外延生...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：皮埃尔诺埃，弗雷德里克马曾，
申请(专利权)人：原子能委员会，
类型：发明
国别省市：FR[法国]