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本发明涉及一种包括纳米结构的ＰＮ结的发光二极管，其从第一掺杂剂掺杂的并用薄介电层（２）覆盖的半导体基板（１）制得。接下来，包括与第一掺杂剂相反类型的第二掺杂剂掺杂的半导体材料的非晶薄膜沉积在薄介电层（２）的表面上。然后该组件受到热处理以由非...
该专利属于原子能委员会所有，仅供学习研究参考，未经过原子能委员会授权不得商用。

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