鳍状晶体管的制造方法技术

一种制造鳍状晶体管的方法，包括：利用隔离掩模，使提供在衬底上方的第一垫层图案化；利用所述隔离掩模和所述第一垫层，蚀刻所述衬底以形成沟槽；使用绝缘材料填充所述沟槽，以形成隔离结构；使用具有绝缘材料比第一垫层的高选择比的气体，蚀刻在沟槽中的隔离结构，以形成鳍状结构；在所述鳍状结构上方，形成栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上方，形成导电层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，更具体涉及一种制造鳍状晶 体管的方法。
技术介绍
当半导体器件变得高度集成时，传统的二维晶体管结构具有若干限制。 尤其是对于高速器件，二维晶体管结构往往不能满足所需的电流驱动。鳍状场效应晶体管(FET)和鞍型鳍片FET是试图克服上述限制的两种 实例。这些鳍状FET和鞍型鳍片FET通常使用三个表面作为通道，因此， 它们提供良好的电流驱动，并且改善背向偏压关联性。图1A~1D为说明鳍状晶体管制造方法的横截面图。图2示出通过图 1A ~ ID图中描述的方法制造的鳍状晶体管的上视图。在图1A ~ ID和图2 中，切割面X-X，的方向为沿有源区15A的主轴，而切割面Y-Y，的方向为 沿将形成栅电极19的区域。参考图1A,在衬底11上形成垫氧化物层12和垫氮化物层13,然后 利用隔离^^模(未图示)蚀刻垫氧化物层12和垫氮化物层13。利用塾氮化物 层13作为蚀刻阻挡层，蚀刻衬底ll至特定深度，以形成沟槽14。参考图 1B，沉积氧化物层直到沟槽14被填满。然后对晶片施以化学机械抛光 (CMP)，以形成场氧化物层15。场氧化物层15被用于隔离和限定有源区 1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造鳍状晶体管的方法，该方法包括：利用隔离掩模，使提供在衬底上方的第一垫层图案化；利用所述隔离掩模和所述第一垫层，蚀刻所述衬底以形成沟槽；使用绝缘材料填充所述沟槽，以形成隔离结构；使用具有绝缘材料对第一垫层的高选择比的气体，蚀刻在所述沟槽中的隔离结构，以形成鳍状结构；在所述鳍状结构上方，形成栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上方，形成导电层。

【技术特征摘要】
KR 2006-9-29 10-2006-00964681.一种制造鳍状晶体管的方法，该方法包括利用隔离掩模，使提供在衬底上方的第一垫层图案化；利用所述隔离掩模和所述第一垫层，蚀刻所述衬底以形成沟槽；使用绝缘材料填充所述沟槽，以形成隔离结构；使用具有绝缘材料对第一垫层的高选择比的气体，蚀刻在所述沟槽中的隔离结构，以形成鳍状结构；在所述鳍状结构上方，形成栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上方，形成导电层。2. 权利要求l的方法，其中所述第一垫层包含氮化物基材料，所述方法还 包括在所述衬底上方形成第二垫层，其中所述第二垫层提供在所述衬底和所 述第一垫层之间；和在形成所述栅极绝缘层之前，先移除所述第一垫层。3. 权利要求2的方法，其中蚀刻隔离结构包括使用气体，所述气体包括选 自高碳含量的气体、高碳和氢含量的气体、及其组合的其中之一。4. 权利要求3的方法，其中所述高碳含量的气体包括CxFy气体，其中x》2 和y^1。5. 权利要求4的方法，其中所述CxFy气体包括选自C2F6、 C3F8、 C4F6和 CsFs中的一种气体。6. 权利要求3的方法，其中所述高碳和氢含量的气体包括CxHyFz气体， 其中x^1， y》2和z21。7. 权利要求6的方法，其中所述CxHyFz气体包括CH2F。8. 权利要求2的方法，其中移除所述第一垫层包括使用湿化学品。9. 权利要求8的方法，其中所述湿化学品包括磷酸(H3P04)溶液。10. 权利要求9的方法，其中所述隔离结构被蚀刻至500A或更大的厚度。11. ...

【专利技术属性】
技术研发人员：金光玉，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]