高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法，它可以保证有源区和沟道的导通，从而保证了整个非对称高压横向结构扩散型场效应管的有效性。它包括如下步骤：第一步，多晶硅刻蚀；第二步，Ｎ型低掺杂源漏注入；第三步，Ｐ型低掺杂源漏光罩及Ｐ型低掺杂源漏注入；第四步，Ｐ型低掺杂源漏光刻胶去除；第五步，侧墙生长及刻蚀；第六步，Ｎ型或Ｐ型源漏注入；第七步，自对准硅化物阻挡层生长；第八步，自对准硅化物阻挡层光罩及刻蚀；第九步，自对准硅化物阻挡层光刻胶去除。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
现有的高压横向结构扩散型场效应管一般都采用如图1-3所示 的工艺，图1-图3是现有高压非对称横向结构扩散型场效应管的制 作方法的制作工艺示意图；其中图l.a-图3.a为高压非对称横向结 构扩散型N型场效应管的制作方法，图1. b-图3. b为高压非对称横 向结构扩散型P型场效应管的制作方法。 一般先对多晶硅进行刻蚀， 如图l所示；然后先完成侧墙的生长和侧墙刻蚀，如图2所示；然后 对N型高压横向结构扩散型场效应管进行N型源漏注入，如图1. a所 示；对P型高压横向结构扩散型场效应管进行P型源漏注入，如图 l.b所示。但现有的非对称高压横向结构扩散型场效应管目前通常会出现 以下两个问题1、 由于源区和器件的沟道区有一个侧墙隔离，如果源区的扩散 不够，就会导致源区和沟道无法导通，从而整个非对称高压横向结构 扩散型场效应管就会失效。2、 如果在栅极上加较高的高压，其产生的强电场，可能会导致源区和栅极的击穿电压小于整个非对称高压横向结构扩散型场效应 管的击穿电压，从而整个非对称高压横向结构扩散型场效应管就会失 效。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种高压非对称横向结构扩 散型场效应管的制作方法，它可以保证有源区和沟道的导通，从而保 证了整个非对称高压横向结构扩散型场效应管的有效性。为了解决以上技术问题，本专利技术提供了一种，第一步，多晶硅刻蚀；第二步，N型低 掺杂源漏注入；第三步，P型低掺杂源漏光罩及P型低掺杂源漏注入; 第四步，P型低掺杂源漏光刻胶去除；第五步，侧墙生长及刻蚀；第 六步，N型或P型源漏注入。它还包括以下步骤第七步，自对准硅化物阻挡层生长；第八步， 自对准硅化物阻挡层光罩及刻蚀；第九步，自对准硅化物阻挡层光刻 胶去除。因为本专利技术在多晶硅刻蚀之后，先普注一次N型低掺杂源漏 (light doped drain,简称LDD)，再用P型LDD的光罩，将高压 P型器件的区域打开，使其成为P型，然后在侧墙工艺之后，再进行 源漏注入，这样使得有源区和沟道区之间有低掺杂源漏接通，保证器 件的有效性。另外，用自对准硅化物阻挡层在源区和侧墙之间形成一 个窄条，从而保证源区和栅极之间有足够强的击穿电压，避免器件出 现源区和栅极之间的电压击穿失效。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。图1-图3是现有高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方 法的制作工艺示意图；其中图l.a-图3.a为高压非对称横向结构扩 散型N型场效应管的制作方法，图1. b-图3. b为高压非对称横向结 构扩散型P型场效应管的制作方法。图4-图12是本专利技术高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作 方法的制作工艺示意图；其中图4. a-图12. a为高压非对称横向结构 扩散型N型场效应管的制作方法，图4. b-图12. b为高压非对称横向 结构扩散型P型场效应管的制作方法。具体实施例方式如图4-图12所示，它们是本专利技术高压非对称横向结构扩散型场 效应管的制作方法的制作工艺示意图；其中图4. a-图12. a为高压非 对称横向结构扩散型N型场效应管的制作方法，图4. b-图12. b为高 压非对称横向结构扩散型P型场效应管的制作方法。它们的具体步骤 如下第一步，多晶硅刻蚀；如图4所示，它是经过刻蚀后的示意图。 此时，在图4.a中是高压非对称横向结构扩散型N型场效应管，高压 非对称横向结构扩散型N型场效应管的底部是P型衬底，在P型衬底 上有N型外延，在N型外延上部设有高压P阱和N型扩散区，在高压 P阱和N型扩散区的上部设有三处场氧，而在位于高压P阱上，并位 于高压P阱和N型扩散区之间的场氧一侧，依次生长有栅氧、多晶硅和硅化钩。在图4. b中是高压非对称横向结构扩散型P型场效应管， 与N型场效应管的不同在于，在N型外延上部设有高压N阱和P型扩 散区。第二步，N型低掺杂源漏注入。在图5.a中，分别在高压P阱和 N型扩散区注入N型LDD。在图5.b中，分别在高压N阱和P型扩散 区注入N型LDD。第三步，P型低掺杂源漏光罩及P型低掺杂源漏注入，如图6.a 和图6.b所示。第四步，P型低掺杂源漏光刻胶去除，如图7.a和图7.b所示。第五步，侧墙生长及刻蚀，如图8.a和图8.b所示。第六步，N型或P型源漏注入，图9.a为N型源漏注入和图9.b为P型源漏注入。第七步，自对准硅化物阻挡层生长，如图10.a和图10.b所示。 第八步，自对准硅化物阻挡层光罩及刻蚀，如图ll.a和图ll.b所示。第九步，自对准硅化物阻挡层光刻胶去除，如图12.a和图12.b所示。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法，第一步，多晶硅刻蚀；其特征在于，它还包括如下步骤：第二步，Ｎ型低掺杂源漏注入；第三步，Ｐ型低掺杂源漏光罩及Ｐ型低掺杂源漏注入；第四步，Ｐ型低掺杂源漏光刻胶去除；第五步，侧墙生长及刻蚀；第六步，Ｎ型或Ｐ型源漏注入。

【技术特征摘要】
1、一种高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法，第一步，多晶硅刻蚀；其特征在于，它还包括如下步骤第二步，N型低掺杂源漏注入；第三步，P型低掺杂源漏光罩及P型低掺杂源漏注入；第四步，P型低掺杂源漏光刻胶去除；第五步，侧墙生长及刻蚀；第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈华伦，周贯宇，钱文生，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]