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本发明公开了一种高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法，它可以保证有源区和沟道的导通，从而保证了整个非对称高压横向结构扩散型场效应管的有效性。它包括如下步骤：第一步，多晶硅刻蚀；第二步，Ｎ型低掺杂源漏注入；第三步，Ｐ型低掺杂源漏光罩及Ｐ...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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