【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件的多重反射层电极，更具体而言，涉及一 种具有改善的热稳定性和欧姆接触特性的多重反射层电极以及含有该电极 的化合物半导体发光器件。
技术介绍
图1是常规化合物半导体发光器件(LED) 50以及形成在p型氮化物 半导体层16上的常规p型电极30的结构剖面图。图2是示出其上p型电 极30被退火的化合物半导体LED 50的表面的照片，图3是示出经退火的p 型电极30的聚结以及由于聚结导致的形成在p型电极30中的空洞(void) 32的扫描电子显微镜(SEM)剖面照片。参照图1，常规半导体LED 50包括顺序形成在蓝宝石衬底10上的n 型氮化物半导体层12、有源层14和p型氮化物半导体层16，形成在n型 氮化物半导体层12 —侧的n型电极20以及形成在p型氮化物半导体层16 上的p型电极30。此处，如果将正向电压施加到LED电极、即n型电极20 和p型电极30，则有源层14的导带中的电子与价带中的空穴复合，并且由 于对应于带隙的能量而从有源层14发出光，所述对应于带隙的能量是价带 与导带之间的能量差。从有源层14发出的光被p型电极30反射并通过...
【技术保护点】
一种形成在化合物半导体发光器件的ｐ型半导体层上的多重反射层电极，所述化合物半导体发光器件包括ｎ型半导体层、有源层和所述ｐ型半导体层，所述多重反射层电极包括：叠置在所述ｐ型半导体层上的反射层；叠置在所述反射层上从而防止所述反射层聚结的聚结防止层；以及插入在所述反射层和所述聚结防止层之间从而防止所述聚结防止层的扩散的扩散阻挡物。
【技术特征摘要】
KR 2006-10-18 101576/061.一种形成在化合物半导体发光器件的p型半导体层上的多重反射层电极，所述化合物半导体发光器件包括n型半导体层、有源层和所述p型半导体层，所述多重反射层电极包括叠置在所述p型半导体层上的反射层；叠置在所述反射层上从而防止所述反射层聚结的聚结防止层；以及插入在所述反射层和所述聚结防止层之间从而防止所述聚结防止层的扩散的扩散阻挡物。2. 根据权利要求1所述的多重反射层电极，还包括形成在所述聚结防 止层上从而防止所述聚结防止层的氧化的氧化防止层。3. 根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中所述反射层是反射欧 姆接触层。4. 根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中所述反射层由Ag、 Ag基合金和Ag基氧化物构成的组中选取的一种材料形成。5. 根据权利要求4所述的多重反射层电极，其中所述Ag基合金包括 从Al、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt构成的溶质元素组中选取的至少一 种元素。6. 根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中所述扩散阻挡物由透 明导电材料形成。7. 根据权利要求6所述的多重反射层电极，其中所述透明导电材料包 括从Ti-N、 Mo-O、 Ru-O、 Ir-0和In-0构成的组中选取的至少一种材料。8. 根据权利要求7所述的多重反射层电极，其中所述In-O还包括从 Sn、 Zn、 Ga、 Cu和Mg构成的组中选取的至少一种4参杂剂。9. 根据权利要求8所述的多重反射层电极，其中添加到所述In-O的 掺杂剂的含量是0.1 - 49原子百分比。10. 根据权利要求1所述的多重反射层电极，其中所述聚结防止层由 Al或Al基合金形成。11. 根据权利要求10所述的多重反射层电极，其中所述A1基合金包 括从Ag、 Rh、 Cu、 Pd、 Ni、 Ru、 Ir和Pt构成的溶质元素组中选取的至少 一种元素。12. 根据权利要求2所述的多重反射层电极，其中所述氧化防止层由 Au、 Rh、 Pd、 Cu、 Ni、 Ru、 Ir和Pt构成的组中选取的至少一种材料形成。13. 根据权利要求12所述的多重反射层电极，其中所述氧化防止层以 单层或多层结构形成。14. 根据权利要求1所述的多重反射层电极，还包括接触电极层，所 述接触电极层插入在所述p型半导体层与所述反射层之间并减小所述p型 半导体层与所述反射层之间的接触电阻。15. 根据权利要求14所述的多重反射层电极，其中所述接触电极层由 La基合金、Ni基合金、Zn基合金、Cu基合金、热电氧化物、掺杂氧化物、 ITO和ZnO构成的组中选取的至少 一种材料形成。16. 根据权利要求15所述的多重反射层电极，其中所述掺杂氧化物中 的掺杂元素包括从Mg、 Ag、 Zn、 Sc、 Hf、 Zr、 Te、 Se、 Ta、 W、 Nb、 Cu、 Si、 Ni、 Co、 Mo、 Cr、 Mn、 Hg、 Pr和La构成的组中选取的至少一种。17. 根据权利要求15所述的多...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋俊午，成泰连，金庆国，洪贤其，崔光基，金显秀，
申请(专利权)人：三星LED株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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