【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种喷射清洗方法以及装置，特别是一种应用于超声亚微米半 导体制造技术中去除深亚微米颗粒玷污的喷射清洗方法以及装置。
技术介绍
在超深亚微米半导体制造技术中，深亚微米颗粒玷污的清除显得越来越重 要，也越来越困难。采用雾化的液滴喷射方法进行深亚微米颗粒的清洗，没有 化学蚀刻，既可以做到很好的清洗效率，又不会对图形造成损伤，是一种先进 的清洗方法。通过研究表明，液滴撞击在干燥表面对颗粒产生的作用力远大于 撞击在湿表面时对颗粒产生的作用力，相同的液滴撞击条件下，干表面上的颗 粒受到的作用力要比湿表面上的颗粒所受到的力大三个数量级以上。因此，如 果在液滴喷射到硅片表面时，硅片表面是干燥的，那么清洗的效率将大大提高。 很显然，在最初的时候，硅片总是干燥的，但是在清洗的过程中，液体很快将 整个硅片浸湿，而喷射清洗往往需要通过喷嘴的移动反复的扫描硅片，因此后续的清洗液喷射在湿的^e圭片上，清洗效率就大大降^^了 。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种喷射清洗方法以及装置，其能够在整个深亚微 米颗粒的清洗过程中，即时对硅片表面进行干燥，从而提高清洗效率。为了达...
【技术保护点】
一种喷射清洗方法，所述喷射清洗方法包括一液体喷射步骤，采用雾化液体喷射的方法去除半导体硅片上的颗粒玷污，其特征在于，所述喷射清洗方法还包括一即时干燥步骤，所述即时干燥步骤与液体喷射步骤交替进行。
【技术特征摘要】
1、一种喷射清洗方法，所述喷射清洗方法包括一液体喷射步骤，采用雾化液体喷射的方法去除半导体硅片上的颗粒玷污，其特征在于，所述喷射清洗方法还包括一即时干燥步骤，所述即时干燥步骤与液体喷射步骤交替进行。2、 根据权利要求1所述的喷射清洗方法，其特征在于，所述半导体硅片 在清洗过程中，以一预定速度旋转。3、 根据权利要求1所述的喷射清洗方法，其特征在于，所述液体喷射步 骤中，令雾化液体从所述半导体硅片中心往边缘移动。4、 根据权利要求1所述的喷射清洗方法，其特征在于，所述即时干燥步 骤中，令雾化液体停止移动，待再次切换至所述液体喷射步骤时，再令雾化液 体接着往边缘移动。5、 根据权利要求3或4所述的喷射清洗方法，其特征在于，当雾化液体 移动至所述半导体硅片边缘之后，再从边缘向所述半导体硅片中心返回。6、 根据权利要求1所述的喷射清洗方法，其特征在于，所述即时干燥步 骤与液体喷射步骤的交替频率可依据干燥效果进行调节。7、 根据权利要求1所述的喷射清洗方法，其特征在于，雾化液体移动的 步径可根据需要改变，以避免雾化液体停留处清洗效率不均匀的现象。8、 一种喷射清洗装置，所述喷射清洗装置包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙震海，韩瑞津，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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