半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术有关一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含一基材以及布局于该基材上的一集成电路，通过形成一阻隔层，以构成一平坦的表面，使得一底层金属可以形成于该阻隔层之上，从而避免导电层产生断点而影响其阻抗分布，使其具有稳定的导电特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种导电结构；特别是有关一种用于一半导体集成电路的导电结 构及其形成方法。
技术介绍
凸块电镀于微电子(microelectronics)及微系统(micro system)等领域已发 展出许多技术，诸如平板显示器(flat panel displays, FPD)与驱动芯片(driver ICs)的连接、砷化镓芯片上的传导线与气桥(air bridges)技术、以及LIGA技术 中X-ray掩模的制作等，均于不同阶段使用到该凸块电镀技术。以电路板与IC芯片的连接为例，IC芯片可利用各种方式与电路板连接，而 其封装方式主要便是利用凸块(特别是金凸块)电镀技术，将IC芯片中的衬垫与 电路板电性连接。此技术不仅可大幅縮小IC芯片的体积，还使其可直接嵌入电路 板上，具有节省空间、低感应及散热能力佳等特性，加上电镀工艺的低成本优势， 致使凸块电镀技术得以蓬勃发展。典型的凸块电镀工艺，例如金凸块电镀工艺，需要在衬垫(pad)上先行形 成一底层金属(under bump metal)，底层金属除作为接合凸块与衬垫的黏着层外， 还于电镀形成凸块后，作为导电媒介之用，使凸块可以顺利形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包含：一基材；一集成电路，布局于该基材上；一钝化层，覆盖于设有该集成电路的该基材上，形成非平坦的一第一上表面；一阻隔层，形成于该钝化层之上，形成平坦的一第二表面；以及一底层金属，形成于 该阻隔层的该第二表面上。

【技术特征摘要】
1. 一种半导体结构，包含一基材；一集成电路，布局于该基材上；一钝化层，覆盖于设有该集成电路的该基材上，形成非平坦的一第一上表面；一阻隔层，形成于该钝化层之上，形成平坦的一第二表面；以及一底层金属，形成于该阻隔层的该第二表面上。2. 如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于还包含一凸块，形成于 该底层金属之上。3. 如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该阻隔层是由聚酰亚胺 所制成。4. 如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该阻隔层是由氧化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅文勇，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]