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半导体结构及其形成方法技术
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文档序号:3173930
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本发明有关一种半导体结构及其形成方法,该半导体结构包含一基材以及布局于该基材上的一集成电路,通过形成一阻隔层,以构成一平坦的表面,使得一底层金属可以形成于该阻隔层之上,从而避免导电层产生断点而影响其阻抗分布,使其具有稳定的导电特性。...
该专利属于南茂科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南茂科技股份有限公司授权不得商用。
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