【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种用于半导体基材的封装导电结构；特别是一种具有重新分 布层的封装导电结构。
技术介绍
现今的电子产品中，通常具有半导体芯片提供控制或逻辑运算功能，由于工 艺技术的不断进步，半导体芯片日渐小型化，封装尺寸也逐渐缩小。传统以打线接合(Wire Bonding)方式，将半导体芯片与其他元件相接合的 电子封装技术，早已不敷需求，取而代之的是以凸块(B咖ps)作为芯片与其他元 件接合的覆晶接合技术。换言之，在半导体芯片表面上设有多个凸块，其与内部 结构电性导通，并用以与其他元件接合，可节省传统焊线占据较大面积的缺点， 适用于较先进的工艺。此外，现有的封装技术还采用具有重新分布层(redistribution layer, RDL) 的设计。由于芯片上的衬垫分布是形成于集成电路外侧，为其限制，凸块若直接 形成于衬垫上，则能容纳的凸块数目有限，且凸块之间的间距也会受限，在实际 使用时易造成凸块的接合不良等缺陷。重新分布层采用间接电性连接的方式，通 过导电层连接芯片衬垫与凸块，故凸块的位置可依照需求设置，进而重新配置， 不必局限于既有衬垫位置，可增加使用上的弹...
【技术保护点】
一种用于半导体基材的封装导电结构，该半导体基材上包含一金属层，该封装导电结构包含：一介电层，形成于该半导体基材上，该介电层局部覆盖该金属层，以界定出一容置空间；一垫高层，形成于该容置空间内，且部分连接于该介电层；以及 一导电层，具有一中央区域及一周缘区域；其特征在于该中央区域形成于该容置空间内，与该金属层呈电性连接，该周缘区域至少局部覆盖该介电层的一边缘。
【技术特征摘要】
1. 一种用于半导体基材的封装导电结构，该半导体基材上包含一金属层，该封装导电结构包含一介电层，形成于该半导体基材上，该介电层局部覆盖该金属层，以界定出一容置空间；一垫高层，形成于该容置空间内，且部分连接于该介电层；以及一导电层，具有一中央区域及一周缘区域；其特征在于该中央区域形成于该容置空间内，与该金属层呈电性连接，该周缘区域至少局部覆盖该介电层的一边缘。2. 如权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于还包含一凸块，至少 与该导电层的中央区域电性相连。3. 如权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于还包含一凸块及一保 护层，覆盖于该导电层的周缘区域上，该保护层中界定-凸块容置空间；其 中该凸块通过该凸块容置空间与该导电层电性连接。4. 如权利要求3所述的封装导电结构，其特征在于还包含一凸块下金属 层形成于该凸块与该导电层之间。5. 如权利要求4所述的封装导电结构，其特征在于该凸块下金属层是由 钛/钩合金所制成。6. 如权利要求4所述的封装导电结构，其特征在于还包含一凸块导电层， 形成于该凸块与该凸块下金属层之间。7. 如权利要求6所述的封装导电结构，其特征在于该凸块导电层是由金 所制成。8. 如权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于该垫高层具有二相对 端部，该二相对端部分别连接于该介电层。9. 如权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于该垫高层是由聚酰亚 胺或氧化物所制成。10. 如权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于该金属层是由铝制成。11. 如权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于该容置空间具有一第 一纵向尺寸，该垫高层具有一第二纵向尺寸，该第二纵向尺、t至少为该第一 纵向尺寸的一半。12. 如权利要求11所述的封装导电结构，其特征在于该第一纵向尺寸与 该第二纵...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄成棠，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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