温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明是一种用于半导体基材的封装导电结构及其形成方法，封装导电结构的介电层局部覆盖半导体基材的金属层，并界定出一容置空间，容置空间内形成一垫高层及一导电层，导电层延伸连接凸块，而垫高层部分连接于介电层，使导电层在介电层边缘的沉积较为稳定，进...
该专利属于南茂科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南茂科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。