用于蚀刻过程的晶圆保持装置及控制晶圆蚀刻速率的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于蚀刻过程的晶圆保持装置，包括底盘；设置于所述底盘上的顶盖，该顶盖设有至少一个物料孔；位于所述底盘上且放置于所述顶盖的物料孔内的底板凸台；及安放于所述底板凸台上且放于所述物料孔内的晶圆夹具，该晶圆夹具承载将进行蚀刻的晶圆。所述顶盖一远离所述底盘的表面上设有至少一气体稀释凹槽，所述气体稀释凹槽与所述物料孔连通以稀释在蚀刻过程中产生的副产品气体，从而改善晶圆的蚀刻均匀性。本发明专利技术还公开了一种控制晶圆局部蚀刻速率的方法，所述晶圆表面与所述物料孔的内壁之间形成几何台阶，通过改变几何台阶高度加快或减慢局部的蚀刻反应，从而改善晶圆的蚀刻均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于制造半导体产品的装置，尤其涉及一种用于离子蚀 刻过程的改进的晶圓保持装置及在蚀刻过程中控制晶圓的局部蚀刻速率的方 法，从而改进晶圓蚀刻的均匀性。憎众所周知，目前数据储存装置主要是硬盘(Magnetic Hard Disk Drive, HDD)。硬盘用磁头在磁碟上飞行读和写数据。为让磁头能穗定飞行和高速 读写数据，磁头集成在带有气垫面(Air Bear Surface, ABS)的滑块(Slider) 上。当前的高密度硬盘，要求磁头离磁碟表面的距离只有十纳米(nm)，这 需要在滑块表面上定义出极细微尺寸的图案(Pattern)的气垫面，这些图案 主要的形成方式是刻蚀(Etching)技术。就蚀刻过程来说，当前存在各种蚀刻技术，如反应离子蚀刻(reactive ion etching，RIE)和离子束铣(ion milling, IM)等等。在这些技术中，反应离子 蚀刻(RIE)多年来广泛应用于许多领域，例如，科学研究及微电子制造， 半导体制造及类似领域。反应离子蚀刻的优点在于良好的蚀刻选择性和各向 同性的蚀刻图案轮廓的控制能力。近年来，半导体蚀刻技术已广泛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于蚀刻过程的晶圆保持装置，包括：底盘；顶盖，设置于所述底盘上，该顶盖设有至少一个物料孔；底板凸台，位于所述底盘上，且收容于所述顶盖的物料孔内；及晶圆夹具，位于所述底板凸台上，且收容于所述物料孔内，承载预进行蚀刻的晶圆；其特征在于：所述顶盖一远离所述底盘的表面上设有至少一气体稀释凹槽，所述气体稀释凹槽与所述物料孔连通以稀释在蚀刻过程中产生的副产气体。

【技术特征摘要】
1. 一种用于蚀刻过程的晶圆保持装置，包括底盘；顶盖，设置于所述底盘上，该顶盖设有至少一个物料孔；底板凸台，位于所述底盘上，且收容于所述顶盖的物料孔内；及晶圆夹具，位于所述底板凸台上，且收容于所述物料孔内，承载预进行蚀刻的晶圆；其特征在于所述顶盖一远离所述底盘的表面上设有至少一气体稀释凹槽，所述气体稀释凹槽与所述物料孔连通以稀释在蚀刻过程中产生的副产气体。2. 如权利要求l所述的晶圓保持装置，其特征在于所述气体稀释凹槽 的数量为四个，所述物料孔是圆形的，所述四个气体稀释凹槽环绕所述圓形 物料孔均匀分布。3. 如权利要求1所述的晶圆保持装置，其特征在于所述顶盖为圆形的， 所述物料孔的数量为三个，所述三个物料孔环绕所述圆形顶盖的中心均匀分 布。4. 如权利要求1所述的晶圆保持装置，其特征在于所述顶盖由铝、不 锈钢或陶瓷材料制成。5. 如权利要求1所述的晶圆保持装置，其特征在于所述气体稀释凹槽 大致呈三角形状。6. 如权利要求l所述的晶圆保持装置，其特征在于所述顶盖的厚度为 所述稀释气体凹槽深度的1.25至2.5倍。7. 如权利要求6所述的晶圆保持装置，其特征在于所述顶盖的厚度为 3.0至5.0毫米，所述气体稀释凹槽的深度...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昊，马洪涛，方宏新，乔晓峰，
申请(专利权)人：新科实业有限公司，
类型：发明
国别省市：HK[中国|香港]