膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法技术

通过使用常压等离子体形成第Ⅲ族氮化物如ＧａＮ的薄膜。将反应室（１２）充满在约４０ｋＰａ的接近常压下的纯氮。将ｃ－面蓝宝石衬底（９０）置于电极（１４）上。通过加热器（１５）使衬底温度达到６５０℃。在电极（１３，１４）之间施加电场以形成放电空间（１１ａ）。在气体进料系统（２０）中，将少量三甲基镓加到Ｎ２中，将生成物进料到放电空间（１１ａ）中并且使其与蓝宝石衬底（９０）接触。使衬底（９０）上的Ⅴ／Ⅲ比率处于１０－１００，０００的范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于汽车的控制元件，特别是一按钮，它包括至少 一个以电容为基础工作的、接触感应的按钮和一外壳，其中所述按钮在外壳中可推移地固定。技术背景已知的是，设计具有电容元件的按键或者控制元件，使得在接触按 键时借助 一 电子评价装置能够选择和/或操纵一与该按键有关的功能。例如，在DE 203 11 127中说明一接触感应的以电容为基础的按键作为在电 脑系统或者电子设备上的输入可能性。在此，在一支撑板背面安装一个 用于以自发光的显示器为形式的按键表面的点照明装置，并且在正面设 置一电容的接触感应的输入可能性作为掩睫表面。另一接触感应的皿在EP 0 780 865中说明。描述一种具有通过电 容作用的感应的按键、用于通过一电绝缘的平板探测一元件的存在，其 中按键由一印刷电路板支撑，它基本上与所述板平行且与一在印刷电路 板上设置的电子测量电路电连接。所述电组件的一个电极由一由可导电 的材料构成的簧片构成，它具有一固定在印刷电路板上的底板。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种在一控制元件中可移动固定的按钮， 它结构简单且可廉价地制造。另一目的在于，提供一种按钮，其电子触点接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在衬底上生长第Ⅲ族氮化物的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：通过在处于接近常压的氮气氛下，在一对电极之间施加电场，形成放电空间；和使引入所述放电空间的氮和含有第Ⅲ族金属的金属化合物接触所述衬底，以使Ⅴ／Ⅲ比率在１０至 １０００００的范围内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-8-5 228727/20051、一种在衬底上生长第III族氮化物的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤通过在处于接近常压的氮气氛下，在一对电极之间施加电场，形成放电空间；和使引入所述放电空间的氮和含有第III族金属的金属化合物接触所述衬底，以使V/III比率在10至100000的范围内。2、 一种在衬底上生长氮化镓的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤通过在处于接近常压的氮气氛下，在一对电极之间施加电场，形成放 电空间；禾口使引入所述放电空间的氮和含镓化合物接触所述衬底，以使V/III比 15率在10至100000的范围内。3、 一种在c-面或a-面蓝宝石衬底上外延生长氮化镓的方法，其特征 在于所述方法包括以下步骤通过在处于接近常压的氮气氛下，在一对电极之间施加电场，形成放 电空间；禾口20 使引入所述放电空间的氮和含镓化合物接触所述衬底，以使V/III比率在10000至100000范围内。4、 一种在含铝衬底上生长氮化铝镓的方法，其特征在于所述方法包 括以下步骤通过在处于接近常压的氮气氛下，在一对电极之间施加电场，形成放25 电空间；禾口使引入所述放电空间的氮和含镓化合物接触所述含铝衬底，以使V/III比率在10至100000的范围内。...

【专利技术属性】
技术研发人员：长田贵弘，知京丰裕，上原刚，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]