下载膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法的技术资料

文档序号:3173914

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通过使用常压等离子体形成第Ⅲ族氮化物如GaN的薄膜。将反应室(12)充满在约40kPa的接近常压下的纯氮。将c-面蓝宝石衬底(90)置于电极(14)上。通过加热器(15)使衬底温度达到650℃。在电极(13,14)之间施加电场以形成放电空间...
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