用于分析晶片上污染物的设备以及方法技术

本发明专利技术提供一种用于分析晶片上污染物的设备和方法。该设备包括：晶片夹具，用于支撑在其上布置有待分析的污染物的晶片；激光切割器件，用于向晶片辐射激光以从晶片提取分离的样本；分析盒，用于收集通过辐射所述激光从晶片的表面分离的样本；以及与分析盒连接的分析器件，用于从收集的分离样本分析污染物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种分析晶片表面上污染物的设备以及方法，更具体地，涉 及一种可以从晶片表面收集污染物样品并分析该污染物的设备以及方法。
技术介绍
最近，半导体器件的高集成度与缩小尺寸已经引起了各种污染物的吸附 增加，尤其是从半导体生产线与半导体制造工艺期间产生的晶片表面上的金 属污染物，对半导体器件的性能与成品率产生不利影响。因此，在半导体器件制造中，分析晶片表面上污染物的工序变得重要。 在传统技术中，通过在半导体生产线或半导体制造工艺之间选择预定晶片，使用例如氟化氢(HF)的扫描溶液扫描选定晶片的表面以从晶片表面收 集用于分析污染物的样品，并通过使用例如原子吸收光谱测试法、感应耦合 等离子质谱法(ICP-MS)等方法的损坏性分析方法或者使用整体X-射线荧 光分析器(total X-ray fluorescent analyzer )的无损分4斤方法分析收集的样品， 执行污染物的分析。然而，虽然这些方法适合于分析晶片表面的污染物，但由于收集用于分 析污染的样品耗费时间，所以延迟了整个工艺。因此，为了更快地分析污染 物，已经提出了使用激光的方法。例如，韩国专利登记N0.244922、专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于分析晶片上污染物的设备，包括：晶片夹具，用于支撑在其上布置有待分析的污染物的晶片；激光切割器件，用于向所述晶片辐射激光以从晶片提取分离的样本；分析盒，用于收集通过辐射所述激光从晶片的表面分离的样本；以及分析器件，与所述分析盒连接，用于从收集的分离样本分析污染物。

【技术特征摘要】
KR 2006-12-22 132919/061、一种用于分析晶片上污染物的设备，包括晶片夹具，用于支撑在其上布置有待分析的污染物的晶片；激光切割器件，用于向所述晶片辐射激光以从晶片提取分离的样本；分析盒，用于收集通过辐射所述激光从晶片的表面分离的样本；以及分析器件，与所述分析盒连接，用于从收集的分离样本分析污染物。2、 根据权利要求1的设备，其中所述晶片夹具包括其上载置晶片的板， 该板具有用于向该晶片施加真空以在适当位置保持晶片的多个真空孔。3、 根据权利要求2的设备，其中所述真空孔布置为从该板的中心延伸 的径向阵列。4、 根据权利要求1的设备，其中所述晶片夹具包括板、连接到所述板 以支撑所述晶片的中央部分的晶片支撑块、以及连接到所述板以支撑所述晶 片的边缘部分的多个安装条。5、 根据权利要求4的设备，其中所述晶片支撑块与多个安装条包括用 于向晶片施加真空的真空孔。6、 根据权利要求4的设备，其中每个安装条具有侧面支撑部，用于当 晶片载置在安装条上时支撑该晶片的侧表面。7、 根据权利要求6的设备，其中所述安装条相对连接到该晶片支撑块， 以便该安装条可以朝该晶片支撑块移动或远离该晶片支撑块移动。8、 根据权利要求1的设备，其中该激光切割器件包括用于向晶片辐射 具有特定强度与特性的激光的激光辐射单元、用于将辐射自激光辐射单元的 激光引导至所述分离样本的光学系统、以及用于监测样本收集的监测单元。9、 根据权利要求8的设备，其中该激光切割器件进一步包括连接到所 述激光辐射单元、所述光学系统、以及所述监测单元的激光控制单元，用于 调整为收集所述分离样本而辐射的激光的数量、强度及特性。10、 根据权利要求1的设备，进一步包括连接到所述分析盒的样本传送 器件，用于向所述分析盒供应载气以向所述分析器件传送从晶片收集的样 本。11、 根据权利要求1的设备，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宰硕，任兴彬，柳元景，蔡胜基，李阳求，李宪定，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，檀国大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]