一种Si基微纳发光材料的制备方法技术

一种Ｓｉ基微纳发光材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：　　　　１）在硅衬底上外延生长Ｓｉ／Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］或Ｓｉ↓［ｍ］／Ｇｅ↓［ｎ］多层薄膜材料，其中０＜ｘ＜１；ｍ，ｎ表示对应材料的原子层数，ｍ≤３０，ｎ≤１５；　　　　２）在生长后的样品背面溅射金属电极；　　　　３）用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀；　　　　４）腐蚀后的样品经冲洗，烘氮气吹干或烘干，即得目标产物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种Si基微纳发光材料，尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相 结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。
技术介绍
SiGe材料具有载流子迁移率高、能带连续可调和禁带宽度可通过改变组分加以精确调节 等许多独特的物理性质和重要的应用价值；而且在制造技术上与目前成熟的大规模硅CMOS 工艺相兼容，被称为第二代硅微电子技术(罗浩平，蔡金华，半导体技术，2 (1995), 6)。由于SiGe材料为间接带隙，这限制了其在光电子学上应用。通过对半导体材料空间维数 的限制，可以裁剪它们的光学和电学特性。随着空间限制维数的增加，量子限制效应显 著增强，容易实现材料室温下高效发光。目前制备量子点的方法主要有(1)工艺技术的方法，主要是采用光刻腐蚀、选区外延 生长和局域分子束外延生长(Y. S. Tang et al. ， Electron. Lett . ， 31 (1995) ，1385; G. Schmidt, W. Langheinrich， K. Heime ， Solid State Electron. ， 37 (1994) ,587; E. Hammerl, I. 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｓｉ基微纳发光材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：１）在硅衬底上外延生长Ｓｉ／Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］或Ｓｉ↓［ｍ］／Ｇｅ↓［ｎ］多层薄膜材料，其中０＜ｘ＜１；ｍ，ｎ表示对应材料的原子层数，ｍ≤３０，ｎ≤１５；２）在生长后的样品背面溅射金属电极；３）用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀；４）腐蚀后的样品经冲洗，烘氮气吹干或烘干，即得目标产物。

【技术特征摘要】
1.一种Si基微纳发光材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤1)在硅衬底上外延生长Si/Si1-xGex或Sim/Gen多层薄膜材料，其中0＜x＜1；m，n表示对应材料的原子层数，m≤30，n≤15；2)在生长后的样品背面溅射金属电极；3)用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀；4)腐蚀后的样品经冲洗，烘氮气吹干或烘干，即得目标产物。2. 如权利要求l所述的一种Si基微纳发光材料的制备方法，其特征在于Si层的厚度控 制在80nrn以内。3. 如权利要求l所述的一种Si基微纳发光材料的制备方法，其特征在于Si,《Gex层的厚 度控制在15nm以内。4. 如权利要求1所述的一种Si基微纳发光材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈松岩，周笔，潘书万，李成，赖虹凯，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：92