带有经粗化的高折射率表面层以便进行高度光提取的发光二极管制造技术

一种发光二极管（ＬＥＤ）包括：一ｐ型材料层（１２）；一ｎ型材料层（１４）；及一活性层（１６），其位于该ｐ型层与该ｎ型层之间。一经粗化的透明材料层（１８）位于该ｐ型材料层（１２）及该ｎ型材料层（１４）这两者之一的附近。该经粗化的透明材料层（１８）具有与邻近该透明材料层之材料的折射率相近或大体相同的折射率，且可以是透明氧化物材料或透明导电材料。一额外导电材料层（６８，８８）可位于该经粗化的层与该ｎ型层或该ｐ型层之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】面层以便进行高度光提取的发光二极管方法
本专利技术是关于发光二极管(LED)，且更特定言之，是关于用于提高对来自LED 之光的提取的新结构。
技术介绍
发光二极管(LED)是一类将电能转换为光的重要固态装置，且通常包含一夹与 两相反摻杂层之间的半导体材料活性层。当将偏压施加至整个惨杂层上时，空穴及 电子被注入活性层中，在活性层中其再结合以产生光。光自活性层且自LED之所有 表面全向射出。近期，我们已对由以第III族氮化物为主的材料系统形成之LED抱有浓厚的兴 趣，因为其具有独特的材料特性组合，包括高击穿电场、宽带隙(室温下GaN的带 隙为3.36eV)，大导带偏移及高饱和电子漂移速度。掺杂层及活性层通常形成于可 由诸如硅(Si)、碳化硅(SiC)及蓝宝石(Al203)等不同材料制成的基板上。SiC晶圆通 常较佳，因为其具有与第ni族氮化物更加匹配的晶格，此导致具有更高品质的第III 族氮化物薄膜。SiC亦具有很高的热传导性，使得SiC上第III族氮化物装置的总输出 功率不受晶圆热阻的限制(如形成于蓝宝石或硅上的一些装置受限于此)。而且，半绝缘SiC晶圆的可用性为装置隔离及减少的寄生电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管（ＬＥＤ），其包含：　　　　一ｐ型材料层；　　　　一ｎ型材料层；　　　　一活性层，其位于该ｐ型层与该ｎ型层之间；及　　　　一经粗化的透明材料层，其邻近该ｐ型材料层及该ｎ型材料层之一。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-7-21 11/187,0751.一种发光二极管(LED)，其包含一p型材料层；一n型材料层；一活性层，其位于该p型层与该n型层之间；及一经粗化的透明材料层，其邻近该p型材料层及该n型材料层之一。2. 如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述经粗化的透明材料层具有一与 邻近该透明材料层的材料的折射率大体相同的折射率。3. 如权利要求2所述的LED，其特征在于，所述透明材料具有一在邻近该透明 材料的材料的折射率的± .3范围内的折射率。4. 如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述透明材料包含ZnO、ZnS、MgO、 ln203、 CdS、 Ti02、 PbO、 ZnSnO及氧化铟锡(ITO)中的至少一种。5. 如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述透明材料包含一透明氧化物材料。6. 如权利要求5所述的LED，其特征在于，所述透明氧化物材料包含ZnO、 MgO、 ln203、 Ti02、 PbO、 ZnSnO、 NiO及氧化铟锡(ITO)中的至少一种。7. 如权利要求1所述的LED，其特征在于，所述透明材料包含一透明导电材料。8. 如权利要求7所述的LED，其特征在于，所述透明导电材料包含一透明导电 氧化物。9. 如权利要求8所述的LED，其特征在于，所述透明氧化物材料包含ZnO、In203 及氧化铟锡(ITO)中的至少一种。10. —种发光二极管(LED)，其包含 一p型材料层；一n型材料层；一活性层，其位于该p型层与该n型层之间；一透明导电材料层，其邻近该p型材料层及该n型材料层之一；及 一经粗化的透明材料层，其邻近该透明导电层。11. 如权利要求10所述的LED，其特征在于，所述透明材料包含一不同于该透明导电材料的材料。12. 如权利要求11所述的LED，其特征在于，所述透明材料比所述透明导电 材料更透明。13. 如权利要求10所述的LED，其特征在于，所述透明导电材料包含一透明 导电氧化物。14. 如权利要求10所述的LED，其特征在于，所述透明导电材料具有一与邻 近该透明导电层的p型材料或n型材料的折射率大体相同的折射率。15. 如权利要求10所述的LED，其特征在于，邻近该透明导电层的透明材料 具有一与邻近该透明导电层的p型材料或n型材料的折射率大体相同的折射率。16. —种发光二极管(LED)，其包含 一p型材料层；一n型材料层；一活性层，其位于该p型层与该n型层之间；一金属导电材料层，其邻近该p型材料层及该n型材料层之一；及 一经粗化的透明材料层，其邻近该金属材料层。17. 如权利要求16所述的LED，其特征在于，所述经粗化的透明材料层具有 一与邻近该金属导电材料层的材料的折射率大体相同的折射率。18. 如权利要求17所述的LED，其特征在于，所述透明材料具有一在邻近该 金属导电材料层的材料的折射率的± .3范围内的折射率。19. 一种形成一发光二极管的方法，其包含生长一基础LED结构，所述基础LED结构包含一p型材料层、一n型材料层及 一位于该p型层与该n型层之间的活性层；邻近该p型材料层及该n型材料层之一沉积一透明材料层；及 粗化该透明材料层。20. 如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述生长与沉积是使用相同技 术完成的。21. 如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述技术包含有机金属化学气 相沉积(MOCVD)。22. 如权利要求19所...

【专利技术属性】
技术研发人员：SP迪巴尔司，J艾贝森，中村修二，
申请(专利权)人：美商克立股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]