【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制逸t光二极管芯片的方法以;OL光二极管芯片本专利申请要求德国专利申请102005040558.4的优先权，其>^开内 容通过引用结合于此。本专利技术涉及一种用于制造至少一个发光二极管芯片的方法，该发光二 极管芯片设置有发光转换材料，该发光转换材料具有至少一种发光材料。 此外，本专利技术还涉及这种发光二极管芯片本身。在发射电磁辐射的光电子器件中，已公开了借助其中混有至少一种发 光材料的填料来封装发光二极管芯片。例如通过浇铸其中安装有发光二极 管芯片的壳体腔来进行封装。可替换地，例如借助压铸通过挤压包封安装 在引线框架上的发光二极管芯片来进行封装。该发光材料可通过发光二极管芯片所发射的电磁的初级辐射来激发 并JLJL射次级辐射，其中初级辐射和次级辐射具有不同的波长范围。所期 望得到的器件的色度坐标例如可以通过调节初级辐射与次级辐射的混合 比来调节。在使用上面所提及的填料时，由于发光材料在填料中的不均匀分布会 导致色度坐标波动，不均匀分布例如可能是由于发光材料颗粒形成沉积而 产生的。此外，还存在制造容差，这些制造容差涉及:t糾的可定量性、发 光二极管芯片的高度...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制造至少一个发光二极管芯片的方法，所述至少一个发光二极管设置有发光转换材料，所述发光转换材料具有至少一种发光材料，所述方法具有以下步骤提供具有用于发光二极管芯片的层序列的基本体，该层序列适于发射电磁辐射；将覆盖层施加到基本体的至少一个主面上；将至少一个空腔引入该覆盖层中；以及将发光转换材料施加到基本体上，使得空腔完全或者部分地被填充。2. 根据权利要求1所述的方法，其中，覆盖层具有可光致结构化的材料和/或>^射材料。3. 根据权利要求1或2所述的方法，其中，在施加发光转换材料之后将覆盖层完全去除。4. 根据权利要求1或2所述的方法，其中，在施加发光转换材料之后选择性地仅将覆盖层的一部分去除。5. 根据权利要求3或4所述的方法， 其中，以机械方式和/或化学方式进行去除。6. 根据权利要求4所述的方法，其中，除了发光转换材料之外，至少覆盖层也具有至少一种发光材料。7. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，基本体在主面上具有至少一个用于电连接所述至少一个发光二 极管芯片的电接触面，并且空腔横向上与覆盖层的接触面错开地被引入。8. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，发光转换材料具有以下材料中的至少一种硅树脂、硅氧烷、 旋涂氧化物和可光致结构化的材料。9. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，发光转换材料以液态的、可硬化的物质的形式祐」拖加，并且随后被硬化。10. 根据权利要求9所述的方法，其中，在硬化之前将多余的发光转换材料至少部分地通过刮除来去除。11. 一种用于制造至少一个发光二极管芯片的方法，所述至少一个发 光二极管芯片设置有发光转换材料，所述发光转换材料具有至少一种发光 材料，所述方法具有下列步骤提供具有用于发光二极管芯片的层序列的基本体，该层序列适于发射 电磁辐射；将具有所述发光材料的可光致结构化的覆盖层施加到所述基本体的 至少一个主面上；以及将至少 一个空腔引入所i^t盖层中。12. 根据上述权利要求中任一项所述的方法， 其中，基本体被设计用于多个发光二极管芯片。13. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中，空腔被引入，使得其横截面随着深度的增加而...
【专利技术属性】
技术研发人员：赫贝特·布伦纳，迪特尔·艾斯勒，赫尔穆特·菲舍尔，埃瓦尔德·卡尔·迈克尔·京特，亚历山大·海因德尔，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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