【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在半导体S^加工时有效的形成光刻用涂布型下层膜的组 合物、以及使用该形成涂布型下层膜的组合物的光致抗蚀剂图形的形成方 法。
技术介绍
一直以来，在半导体器件的制造中，人们都是利用使用了光致抗蚀剂 组合物的光刻进行微细加工的。上述微细加工为，在硅晶片等的被加工基 板上形成光致抗蚀剂组合物的薄膜，在该薄膜上透过描绘有半导体器件的 图形的掩模图形照射紫外线等的活性光线，进^f亍显影，以所获得的光致抗 蚀剂图形作为保护膜来对硅晶片等的初L加工141进行蚀刻处理的加工法。但是，近年，半导体器件的高集成化不断发展，使用的活性光线也有从KrF 准分子激光器(248nm)向ArF准分子激光器(193nm)转换的短波长化的倾 向。与此相伴，活性光线从基板的漫反射、驻波的影响逐渐成为大问题。因此，为了解决该问题，人们广泛研究了在光致抗蚀剂与被加工14l之间设置防反射膜(底部防反射涂层、BARC)的方法。作为防反射膜，已知钛、二氧化钛、氮化钛、氧化铬、碳、cc-硅等 的无机防反射膜，以及含有吸光性物质和高分子化合物的有机防反射膜。 前者在形成膜时需要真空蒸镀装置、CVD...
【技术保护点】
一种形成在利用多层膜的光刻工序中使用的涂布型下层膜的组合物，含有下述聚合物，所述聚合物是基于构成聚合物的全部单元结构，分别以摩尔比０．０２以上含有式（１）所示的单元结构和式（２）所示的单元结构的聚合物， ＊＊＊ 式（１） 式中，Ｒ↓［１］表示氢原子或甲基，Ｘ表示在萘环上取代的卤原子、羟基、烷基、烷氧基、硫醇基、氰基、羧基、氨基、酰胺基、烷氧基羰基或硫烷基，ｎ表示０～７的整数，在ｎ为７以外的情况下，其余部分表示氢原子； ＊＊＊ 式（２） 式中，Ｒ↓［１］与上式（１）中的定义相同，Ａ↓［１］表示含有芳香族性羟基的有机基或含有含羟基的酯的有机基。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-8-25 243601/20051.一种形成在利用多层膜的光刻工序中使用的涂布型下层膜的组合物，含有下述聚合物，所述聚合物是基于构成聚合物的全部单元结构，分别以摩尔比0.02以上含有式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构的聚合物，式(1)式中，R1表示氢原子或甲基，X表示在萘环上取代的卤原子、羟基、烷基、烷氧基、硫醇基、氰基、羧基、氨基、酰胺基、烷氧基羰基或硫烷基，n表示0～7的整数，在n为7以外的情况下，其余部分表示氢原子；式(2)式中，R1与上式(1)中的定义相同，A1表示含有芳香族性羟基的有机基或含有含羟基的酯的有机基。2.如权利要求1所述的形成涂布型下层膜的组合物，含有下述聚合物， 所述聚合物是基于构成聚合物的全部单元结构，以摩尔比0.02以上进一步 含有式(3)所示的单元结构的聚合物， Ri H<formula>formula see original document page 2</formula>式中，&与上述式(1)中的含义相同，Bi是含有下述酯的有机基， 所述酯是含脂肪族环状化合物的酯或含芳香族化合物的酯。3.如权利要求1所述的形成涂布型下层膜的组合物，含有下述聚合物， 所述聚合物;l^于构成聚合物的全部单元结构，以摩尔比0.02以上进一步 含有式(4)所示的单元结构的聚合物，<formula>formula see original document page 5</formula>式中，R,与上述式(1)中的含义相同，B2是取代或未取代的苯环或 蒽环。4. 如权利要求1所述的形成涂布型下层膜的组合物，上述聚合物，基 于构成该聚合物的全部单元结构，以摩尔比0.4 ~ 0.98的比例含有上式(1) 所示的单元结构，以摩尔比0.02 ~ 0.6的比例含有上式(2)所示的单元结 构。5. 如权利要求2所述的形成涂布型下层膜的组合物，上述聚合物，基 于构成该聚合物的全部单元结构，以摩尔比0.4 ~ 0.96的比例含有上式(1) 所示的单元结构，以摩尔比0.02 ~ 0.58的比例含有上式(2)所示的单元结 构，以摩尔比0.02 ~ 0.58的比例含有上式(3)所示的单元结构。6. 如权利要求3所述的形成涂布型下层膜的组合物，上述聚合物，基 于构成该聚合物的全部单元结构，以摩尔比0.4 ~ 0.96的比例含有上式(1) 所示的单元结构，以摩尔比0.02 ~ 0.58的比例含有上式(2)所示的单元...
【专利技术属性】
技术研发人员：坂口崇洋，榎本智之，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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