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为了防止伴随抗蚀剂图形的微细化的抗蚀剂图形在显影后的塌陷，本发明的课题在于提供一种形成光刻用涂布型下层膜的组合物，其应用于利用薄膜抗蚀剂进行的多层膜工序，具有小于光致抗蚀剂、半导体基板的干蚀刻速度，在加工基板时，对加工基板具有充分的抗蚀刻性...
该专利属于日产化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日产化学工业株式会社授权不得商用。

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