用于形成发光层的基材、发光体以及发光物质制造技术

在利用对于改善晶体质量等有利的气相生长方法的同时，还通过微晶化发光层改善发光效率。用于形成发光层的基材（４）包括单晶基材（１）和设置在该单晶基材（１）上的定向微晶层（３）。构成定向微晶层（３）的各晶体的特定晶轴在相对于单晶基材（１）的特定方向取向，并且构成定向微晶层（３）的各晶体的平均晶粒尺寸为１－１，０００ｎｍ。发光体（８）包括设置在用于形成发光层的基材（４）中的定向微晶层（３）上的中间层（５）、发光层（６）和包覆层（７），它们均是通过气相生长方法形成的由氮化物半导体形成的。发光层（６）由平均粒径为１至１，０００ｎｍ的微晶颗粒形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于形成发光层的基材、发光体以M光物质，更具体地， 涉及其包括氮化物半导体的发光层是通过气相生长方法形成的用于形成发 光层的基材、发光体以及发光物质。
技术介绍
作为用于荧光体的材料，长期以来，已经对例如ZnS的II-VI族半导 体进行了研究。然而，这样的问题伴随着II-VI族半导体当为了实现高 亮度而利用电子束使II-VI族半导体转变为高受激状态时，寿命减小。因 此，渴望高耐性材料的开发。关于高阻荧光体材料，可以列举氮化物半导体。由于氮化物半导体的 物理和化学性能非常稳定，即使当通过电子束等转变为强受激状态时，也 不发生寿命减小这样的现象，因此氮化物半导体是一种可以预期为高阻荧光体材料。然而，氮化物半导体是这样的，；f艮难从熔融液体形成体单晶。因此，为了使用氮化物半导体形成荧光体，传统上，使用下述方法利用 多晶粉末的生长的方法(见例如专利公开1:日本未审专利公开(KOKAI) Gazette No.9-235，548);以及利用气相生长方法的方法(见例如专利公开 2:日本未审专利公开(KOKAI) Gazette No.11-339,681 )。在该专利文献l中，公本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成发光层的基材，所述基材包括：单晶基材；以及形成在所述单晶基材上的定向微晶层；并且所述基材是这样的基材，其中包括氮化物半导体的发光层通过气相生长方法形成在所述定向微晶层上，所述基材的特征在于，构成所述定向微晶层的各晶体的晶轴中的一个在相对于所述单晶基材的特定方向取向；并且，构成所述定向微晶层的所述各晶体的平均晶体粒径为１－１，０００ｎｍ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-8-25 244354/20051.一种用于形成发光层的基材，所述基材包括单晶基材；以及形成在所述单晶基材上的定向微晶层；并且所述基材是这样的基材，其中包括氮化物半导体的发光层通过气相生长方法形成在所述定向微晶层上，所述基材的特征在于，构成所述定向微晶层的各晶体的晶轴中的一个在相对于所述单晶基材的特定方向取向；并且，构成所述定向微晶层的所述各晶体的平均晶体粒径为1-1,000nm。2. —种发光体，具有权利要求l中所述的用于形成发光层的基材以及 发光层，所述发光层通过气相生长方法形成在所述用于形成发光层的基材 的所述定向^:晶层上，并且所述发光层包括氮化物半导体，所述发光体的特征在于，所iOL光层由平均粒径为l-l，000nm的微晶 粒构成。3. 根据权利要求2的发光体，其特征在于，还具有中间层，所述中间 层通过气相生长方法形成在所述定向微晶层上，且所述中间层包括氮化物 半导体，其中所述氮化物半导体包括核物质，且当所述发光层生长时，所述核物质成为起始点；并且，所述发光层形成在所述中间层上。4. 根据权利要求3的发光体，其特征在于，所述中间层是这样的，其 带隙能量大于所itiL光层的带隙能量。5. 根据权利要求3或4的发光体，其特征在于，所述单晶基材包括硅 基材；所述中间层包括AlxGayN (x+y=l， 0<x^l以及05y<l);以及所述 发光层包括InzAlxGayN (x+y+z=l， 0^x￡l， (^y^l以及0S^1)。6. 根据权利要求2、 3、 4或5的发光体，其特征在于，还具有包覆层， 所述包覆层通过气相生长方法形成在所述发光层上，并且所述包覆层包括 其带隙能量大于所述发光层的带隙能量的氮化物半导体。7. —种发光物质，其特征在于，其是通过从用于形成发光层的基材剥 离而形成的，且所述基材是权利要求6中所述的发光体的所述基材；并且， 其包括所迷中间层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：木山明，森连太郎，稻冈宏弥，一柳昌幸，泽木宣彦，本田善央，柳濑康行，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]