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一种Ｓｉ基微纳发光材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：　　　　１）在硅衬底上外延生长Ｓｉ／Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］或Ｓｉ↓［ｍ］／Ｇｅ↓［ｎ］多层薄膜材料，其中０＜ｘ＜１；ｍ，ｎ表示对应材料的原子层数，ｍ≤３０，ｎ≤１５；　　　　２...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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