有源元件阵列基板及其制造方法技术

一种有源元件阵列基板及其制造方法，本发明专利技术通过形成图案化第一金属层、绝缘层、图案化半导体层、与图案化金属复层等，作为阵列基板中的薄膜晶体管、栅极导线、栅极连接焊盘、数据导线、数据连接焊盘及存储电极等元件，并通过对特定膜层部分进行选择性蚀刻步骤的手段，形成具有底切结构的膜层配置，进而减少阵列基板制造方法中所涉及的程序复杂且耗时的光掩模蚀刻程序次数，以相对简易且省时的工艺步骤提供一阵列基板。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，且特别涉及一种能减 少工艺所需的光掩模程序次数的薄膜晶体管阵列基板的制造方法。
技术介绍
液晶显示器(liquid crystal display, LCD)因具有高画质、体积小、重量 轻、低电压驱动、低消耗功率及应用范围广等优点，故广泛地应用于如便携 式电视、移动电话、笔记本型计算机、台式显示器等消费性电子产品中，成 为显示器的主流。一般液晶显示器，以薄膜晶体管液晶显示器为例，主要是由薄膜晶体管 阵列基板、彩色滤光阵列基板及液晶层所组成。其中，薄膜晶体管阵列基板 由多个以阵列排列的薄膜晶体管及与各薄膜晶体管相应配置的像素电极 (pixel electrode)所组成，并通常通过一栅极导线与一数据导线来控制阵列 上个别的像素单元。然而，随着元件微型化的趋势，为了在更小的基板面积上仍能提供较佳 的开口率， 一般使用平坦化工艺来制造薄膜晶体管阵列基板。在传统制造薄 膜晶体管阵列基板的平坦化工艺中，通常必须利用五至六道光刻工艺(photolithography)(或所谓的光掩模工艺(mask))来制得所需的阵 列基板。其中各道光刻工艺包括阻剂涂布、使用图案化光掩模、阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源元件阵列基板的制造方法，包括：提供一基板；形成一图案化第一金属层于该基板上，该图案化第一金属层包含多条栅极导线、以及与所述多条栅极导线相连接的多个栅极及多个栅极连接焊盘；形成一第一绝缘层于该基板与该图案化第一金属层上；形成一图案化半导体层于部分该第一绝缘层上；形成一图案化金属复层于该第一绝缘层与该图案化半导体层上，该图案化金属复层包含多条数据导线、多个漏极、多个存储电极以及与所述多条数据导线连接的多个源极与多个数据连接焊盘，其中所述多个源极与所述多个漏极位于所述多个栅极上方，且各所述漏极与各所述存储电极分别具一漏极开口与一存储电极开口，其中所述多个漏极开口与所述多个存储电极开口均暴露出...

【技术特征摘要】
1.一种有源元件阵列基板的制造方法，包括提供一基板；形成一图案化第一金属层于该基板上，该图案化第一金属层包含多条栅极导线、以及与所述多条栅极导线相连接的多个栅极及多个栅极连接焊盘；形成一第一绝缘层于该基板与该图案化第一金属层上；形成一图案化半导体层于部分该第一绝缘层上；形成一图案化金属复层于该第一绝缘层与该图案化半导体层上，该图案化金属复层包含多条数据导线、多个漏极、多个存储电极以及与所述多条数据导线连接的多个源极与多个数据连接焊盘，其中所述多个源极与所述多个漏极位于所述多个栅极上方，且各所述漏极与各所述存储电极分别具一漏极开口与一存储电极开口，其中所述多个漏极开口与所述多个存储电极开口均暴露出部分该图案化半导体层；形成一全面覆盖的第二绝缘层；图案化该第二绝缘层与该第一绝缘层，以暴露所述多个漏极开口的一部分、所述多个存储电极开口的一部分、所述多条数据导线的一部分、所述多个数据连接焊盘的一部分、所述多条栅极导线的一部分、以及所述多个栅极连接焊盘的一部分；进行一蚀刻工艺，以选择性移除所述多个经暴露的部分该图案化金属复层；以及形成一图案化导电层，该图案化导电层包含分别电性连结于所述多个漏极的多个像素电极。2. 如权利要求1所述的方法，其中该图案化半导体层形成于对应于所述 多个栅极上方的该第一绝缘层上、对应于所述多个漏极下方的部分该第一绝 缘层上、以及对应于所述多个存储电极下方的部分该第一绝缘层上。3. 如权利要求1所述的方法，其中所述多条数据导线与所述多个数据连 接焊盘形成于该第一绝缘层上，且所述多条数据导线与所述多条栅极导线相 交。4. 如权利要求1所述的方法，其中形成该图案化半导体层与形成该图案化金属复层的步骤包括于该第一绝缘层上形成一半导体层； 图案化该半导体层以形成该图案化半导体层； 于该第一绝缘层与该图案化半导体层上形成一金属复层；以及 图案化该金属复层以形成该图案化金属复层。5. 如权利要求1所述的方法，其中形成该图案化半导体层与形成该图案 化金属复层的步骤包括于该第一绝缘层上依序形成一半导体层与一金属复层；以及 使用半调型光掩模工艺、灰调型光掩模工艺或减弱式相转移光掩模工艺将该半导体层与该金属复层图案化，以同时形成该图案化半导体层与该图案化金属复层。6. 如权利要求1所述的方法，其中各该存储电极分别连接于各该像素电极。7. 如权利要求1所述的方法，其中该图案化金属复层由上而下包含一第 二金属层及一第三金属层。8. 如权利要求7所述的方法，其中该第二金属层为一铝层，该第三金属 层为一钛层、 一钼层或其合金层。9. 如权利要求7所述的方法，其中该蚀刻工艺使用湿式或干式蚀刻移除 所述多个经暴露的部分该第二金属层而形成底切结构。10. 如权利要求1所述的方法，其中该图案化第一金属层由一上金属层及 一下金属层所构成。11. 如权利要求IO所述的方法，其中该上金属层为一铝层，该下金属层 为一钛层、 一钼层或其合金层。12. 如权利要求10所述的方法，其中该蚀刻工艺使用湿式或干式蚀刻移 除所述多个经暴露的部分该上金属层而形成底切结构。13. 如权利要求1所述的方法，其中所述多个存储电极的位置与所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：方国龙，林祥麟，林汉涂，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]