一种平板显示器的阵列扫描控制电路制造技术

一种平板显示器的阵列扫描控制电路，该阵列扫描控制电路包含多级阵列扫描控制单元，该阵列扫描控制单元利用该阵列扫描控制单元的输出信号为反馈信号。该阵列扫描控制单元由5个晶体管组成，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管；由5个输入信号控制，包括一输入激励信号、两个相位相反的时钟信号、一高电平电压和一低电平电压。本发明专利技术的阵列扫描控制电路减少了晶体管数目，减少了阵列扫描控制单元的面积，且输出信号稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种平板显示器的阵列扫描控制电路
本专利技术涉及显示装置
，特别是涉及一种阵列扫描控制电路。
技术介绍
平板显示器是目前显示装置的主流产品，而阵列扫描控制电路广泛应用于平板显示器的驱动电路中。阵列扫描控制电路具有存储和移位功能，通过扫描线依次产生扫描信号并输出到像素电路的栅极，实现逐行选通的功能。现有技术的一种常规驱动电路中的阵列扫描控制电路的电路如图1所示，该阵列扫描控制电路以每四个阵列扫描控制单元为一组，每组结构相同，为了简化结构，该图只画出了该阵列扫描控制电路的第一组的电路图，即前四级阵列扫描控制单元的电路图，包括：第一级阵列扫描控制单元11、第二级阵列扫描控制单元12、第三级阵列扫描控制单元13和第四级阵列扫描控制单元14。从图中可以看出，该阵列扫描控制电路有4个输入时钟信号(电源电压VDD和输入起始脉冲信号Start除外)，使时序比较复杂。第一时钟信号CLK1和第三时钟信号CLK3以交差法的方式连接到第一级阵列扫描控制单元11和第三阵列扫描控制单元13，而第二时钟信号CLK2和第四时钟信号CLK4以交差法的方式连接到第二级阵列扫描控制单元12和第四阵列扫描控制单元14，这样使结构比较复杂，会增加电路在布局布线时的难度。为了增加阵列扫描控制单元输出端的驱动能力，晶体管T5和晶体管T6必须要承受较大的电流，而PMOS(PositivechannelMetalOxideSemiconductor，P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)的空穴迁移率比电子迁移率低，所以T5和T6的的导电沟道宽度较大，其宽度一般约为数千微米，并且每个阵列扫描控制单元由6个PMOS管组成，而这会使电路面积增大。总的来说，该阵列扫描控制电路会增加成本，成品率低。另外，经过分析，该图的阵列扫描控制电路在第4M+1和4M+2单元出现问题(M是正整数)。以第5个阵列扫描控制单元为例，第一时钟信号CLK1第一次为低电平时，该单元的输出端OUT5应为高电平，但实际上不是。因为这时第5单元的T5和T6截止，相当于两个电阻对VDD与CLK1的电势差的分压，导致输出电压被拉低，使该行提前选通，造成数据混乱。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是提供一种阵列扫描控制电路，以克服现有技术中成本高、成品率低、易造成数据混乱的缺陷。为达到上述目的，本专利技术的技术方案提供一种阵列扫描控制电路，所述电路包括多级阵列扫描控制单元，所述的多级阵列扫描控制单元包括：一第一晶体管，具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级，其中，该第一级晶体管的第一源/漏级连接前一级的阵列扫描控制单元的输出信号；一第二晶体管，具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级，其中，该第二晶体管的栅级和该第一晶体管的栅级连接一时钟信号，该第二晶体管的第一源/漏级连接一低电平电压；一第三晶体管，具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级，其中，该第三晶体管的第一源/漏级连接该第二晶体管的第二源/漏级；一第四晶体管，具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级，其中，该第四晶体管的栅级连接该第一晶体管的第二源/漏级，该第四晶体管的第一源/漏级连接另一时钟信号；以及一第五晶体管，具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级，其中，该第五晶体管的栅级连接该第二晶体管的第二源/漏级和第三晶体管的第一源/漏级，该第五晶体管的第一源/漏级、第四晶体管的第二源/漏级和第三晶体管的栅级连接该级阵列扫描控制单元的输出端，该第五晶体管的第二源/漏级和该第三晶体管的第二源/漏级连接一高电平电压。其中，在所述多级阵列扫描控制单元的一第奇数级阵列扫描控制单元中，该第二晶体管的栅级和该第一晶体管的栅级连接第一时钟信号，该第四晶体管的第一源/漏级连接第二时钟信号。其中，当该阵列扫描控制单元为第一级阵列扫描控制单元时，该级的第一晶体管的第一源/漏极连接一输入起始脉冲信号。其中，在所述多级阵列扫描控制单元的一第偶数级阵列扫描控制单元中，该第二晶体管的栅级和该第一晶体管的栅级连接第二时钟信号，该第四晶体管的第一源/漏级连接第一时钟信号。其中，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管为PMOS晶体管。其中，该电路的每级阵列扫描控制单元由5个PMOS晶体管构成。其中，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管为TFT(ThinFilmTransistor，薄膜场效应晶体管)。其中，该电路制作在玻璃衬底上。其中，该电路的输出可扩展为多个阵列扫描控制单元的输出。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有如下优点：本专利技术的阵列扫描控制电路具有多级阵列扫描控制单元，每级阵列扫描控制单元只有五个输入信号、五个晶体管和一个输出信号，本专利技术利用输出信号为反馈信号，输出信号通过扫描线为像素电路提供扫描信号。本专利技术的阵列扫描控制电路面积小、结构简单、输出信号稳定，能显著地提高成品率，降低成本。附图说明图1为现有技术的一种常规驱动电路中的阵列扫描控制电路的电路图；图2为本专利技术实施例的一种阵列扫描控制单元的电路图；图3为图2的第奇数级阵列扫描控制单元的电路图；图4为图2的第偶数级阵列扫描控制单元的电路图；图5为本专利技术实施例的一种阵列扫描控制电路的结构图；图6为根据图5所示的阵列扫描控制电路的前四级阵列扫描控制单元的电路图；图7为根据图6所示电路的时序图。上述附图中的附图标记如下：11、61第一级阵列扫描控制单元12、62第二级阵列扫描控制单元13、63第三级阵列扫描控制单元14、64第四级阵列扫描控制单元21、22、23、G(2n)输入信号24、G(2n+1)、G(2n+2)输出信号Start、SIN输入起始脉冲信号CLK1第一时钟信号CLK2第二时钟信号CLK3第三时钟信号CLK4第四时钟信号VDD高电平电压VSS低电平电压OUT1、G1第一级阵列扫描控制单元的输出信号OUT2、G2第二级阵列扫描控制单元的输出信号OUT3、G3第三级阵列扫描控制单元的输出信号OUT4、G4第四级阵列扫描控制单元的输出信号Gn第N级阵列扫描控制单元的输出信号T1第一晶体管T2第二晶体管T3第三晶体管T4第四晶体管T5第五晶体管T6第六晶体管t1、t2、t3、t4、t5时间段具体实施方式下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。本专利技术实施例的一种阵列扫描控制单元的电路如图2所示，本实施例中为第N级阵列扫描控制单元的电路。该电路由5个晶体管组成，包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4和晶体管T5，本实施例中晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4和晶体管T5都为PMOS管；该电路有5个输入端口，包括输入端口21、输入端口22、输入端口23、输入端口VSS和输入端口VDD，一个输出端口24。其中，输入端口21连接前一级(第(N-1)级)阵列扫描控制单元输出端的输出信号，输入端口22和输入端口23分别连接两个相位相反的时钟信号。晶体管T1的栅级和晶体管T2的栅级连接输入端口22，该晶体管T1的第一源/漏极连接输入端口21。该晶体管T2的第一源/漏极连接一低电平电压VSS，该晶体管T2的第二源/漏极和晶体管T3的第一源/漏极连接晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列扫描控制电路，其特征在于，所述电路包括多级阵列扫描控制单元，所述的多级阵列扫描控制单元包括：一第一晶体管，具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级，其中，该第一级晶体管的第一源/漏级连接前一级的阵列扫描控制单元的输出信号；一第二晶体管，具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级，其中，该第二晶体管的栅级和该第一晶体管的栅级连接一时钟信号，该第二晶体管的第一源/漏级连接一低电平电压；一第三晶体管，具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级，其中，该第三晶体管的第一源/漏级连接该第二晶体管的第二源/漏级；一第四晶体管，具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级，其中，该第四晶体管的栅级连接该第一晶体管的第二源/漏级，该第四晶体管的第一源/漏级连接另一时钟信号；以及一第五晶体管，具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级，其中，该第五晶体管的栅级连接该第二晶体管的第二源/漏级和第三晶体管的第一源/漏级，该第五晶体管的第一源/漏级、第四晶体管的第二源/漏级和第三晶体管的栅级连接该级阵列扫描控制单元的输出端，该第五晶体管的第二源/漏级和该第三晶体管的第二源/漏级连接一高电平电压。...

【技术特征摘要】
1.一种阵列扫描控制电路，其特征在于，所述电路包括多级阵列扫描控制单元，所述的多级阵列扫描控制单元包括：一第一晶体管，具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级，其中，该第一晶体管的第一源/漏级连接前一级的阵列扫描控制单元的输出信号；一第二晶体管，具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级，其中，该第二晶体管的栅级和该第一晶体管的栅级连接一时钟信号，该第二晶体管的第一源/漏级连接一低电平电压；一第三晶体管，具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级，其中，该第三晶体管的第一源/漏级连接该第二晶体管的第二源/漏级；一第四晶体管，具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级，其中，该第四晶体管的栅级连接该第一晶体管的第二源/漏级，该第四晶体管的第一源/漏级连接另一时钟信号；以及一第五晶体管，具有一栅级、一第一源/漏极以及一第二源/漏级，其中，该第五晶体管的栅级连接该第二晶体管的第二源/漏级和第三晶体管的第一源/漏级，该第五晶体管的第一源/漏级...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨秀莲，
申请(专利权)人：杨秀莲，
类型：发明
国别省市：浙江;33