【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于形成具有阶梯部分的光阻图案的方法、 一种制造显 示面板的方法和制造显示装置的方法，更具体地，涉及一种形成光阻图案的 方法、 一种制造显示面板的方法以及制造显示装置的方法，其中降低了制造 成本。
技术介绍
液晶显示器(LCD)面板包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板、滤色 器阵列基板，以及夹置在TFT阵列基板和滤色器阵列基板之间的液晶层。TFT阵列基板包括横向设置的栅线、纵向设置与栅线交叉的数据线、在 栅线和数据线的交叉点形成与栅线和数据线电连接的TFT、以及在像素区域 内形成与TFT电连接的像素电极。滤色器阵列基板包括用于防止光泄漏的黑矩阵、具有形成在像素区域上 的红R、绿G、蓝B滤色器的滤色器层、以及与像素电极一起形成电场的公 共电极。LCD面板由供应到像素电极的数据电压和供应到公共电极的公共电压 之间的电压差形成的电场驱动液晶层来显示图像。在制造这样的LCD面板的工艺中，曝光掩模一般用于形成期望的图案。 具体地，TFT阵列基板由四掩模工艺制造，其中形成了栅绝缘层、半导体层、 欧姆接触层和数据图案。此时，使用具有狭缝的狭缝掩模或者半色调 (h...
【技术保护点】
一种形成光阻图案的方法，该方法包括： 形成光阻；以及 通过按照区域执行不同次数的曝光工艺，形成具有阶梯部分的光阻图案。
【技术特征摘要】
KR 2007-2-6 12281/071. 一种形成光阻图案的方法，该方法包括形成光阻；以及通过按照区域执行不同次数的曝光工艺，形成具有阶梯部分的光阻图案。2、 如权利要求1的方法，其中该光阻图案包括第一区域和低于该第一 区域的第二区域，其中对该第 一 区域的曝光次数多于对该第二区域的曝光次数。3、 如权利要求2的方法，进一步包括，对应于该光阻图案的第一和第二区域，使该光阻的第一和第二区域经受 第一曝光；以及使该光阻的第一区域经受第二曝光。4、 如权利要求3的方法，其中在该第一曝光期间，不同强度的光分别 辐射到该光阻的第 一 和第二区域。5、 如权利要求4的方法，其中在该第一曝光期间，比辐射到该光阻的 第二区域更强的光辐射到该光阻的第 一 区域。6、 如权利要求4的方法，进一步包括，在该第一曝光期间，对该光阻的第一和第二区域辐射相同强度的光；以及在该第二曝光期间，辐射与该第 一曝光相比不同强度的光。7、 如权利要求1的方法，其中该光阻图案包括第一区域和低于该第一 区域的第二区域，其中对该第 一区域的曝光次数少于对该第二区域的曝光次数。8、 一种制造显示面板的方法，该方法包括 通过第一导电层在基板上形成具有栅线和栅极的栅极图案； 在该基板上方顺序地形成栅绝缘层、非晶硅层、掺杂非晶硅层、第二导电层以及光阻，其中该光阻包括沟道区域以及数据图案区域，通过该沟道区 域形成薄膜晶体管的沟道，通过该数据图案区域形成具有薄膜晶体管的源极 和漏极以及数据线的数据图案；使该光阻经受曝光形成具有阶梯部分的光阻图案，其中该沟道区域和该数据图案区域接收不同数目的曝光次数；利用该光阻图案执行蚀刻工艺形成该薄膜晶体管和该数据线； 在该基板上方形成钝化膜，该钝化膜具有暴露一部分漏极的像素接触孔；以及在该钝化膜上形成像素电极，该像素电极经由该像素接触孔电连接到该 漏极。9、 如权利要求8的方法，其中该光阻具有负感光性。10、 如权利要求9的方法，其中具有阶梯部分的该光阻图案包括数据图 案区域以及沟道区域，通过该数据图案区域，形成该源极和漏极以及该数据 线，通过该沟道区域形成薄膜晶体管的沟道，并且该光阻图案的数据图案区 域高于该光阻图...
【专利技术属性】
技术研发人员：申暻周，昔俊亨，蔡钟哲，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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