绝缘体上应变硅结构的制造方法技术

本发明专利技术旨在一种绝缘体上应变硅（ＳＳＯＩ）结构，其具有改善的表面特性，例如降低的粗糙度、低的ＬＰＤ浓度以及较低的污染，本发明专利技术还旨在一种制造该结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及绝缘体上应变硅(SSOI)结构。更具体地说，本专利技术 旨在一种其中应变硅层具有改善的表面特性的SSOI结构。本专利技术还旨在一种制造该结构的方法。
技术介绍
AA々m L ti , Ci八T 、 4^:名涤A k/rk加曰_ 4f 1____1L -s iW 、 主U太^Ci外'r十、丄^上、>/巧吓JJ^！ rp 0付^u^t日曰^！ 、 imi量uic Waier ，、 卞卞仵器件层以及在处理晶片与器件层之间的介电绝缘层。通过使SOI结构的器件层与处理晶片层隔离，器件层产生降低的泄漏电流和较低的电容。用于半导体器件的绝缘体上应变硅(SSOI)结构结合了 SOI技术与应变硅技术的优点，其中应变硅层提供提高的栽流子迁移率。可以以多种方式生产或制造绝缘体上应变硅结构。例如，在一种方法中，通过本领域中已知的几种技术中的一种，例如(i)注氧隔离(称为 SIMOX，，，参见例如美国专利No. 5,436,175) ; (ii)晶片接合然后回 蚀刻；(iii)晶片掩^然后氢剥离层转移；或者(iv)非晶材料的再结晶， 在绝缘体上形成驰豫的珪-锗(SiG本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备绝缘体上应变硅结构的方法，所述方法包括以下步骤：在供体晶片的表面上形成驰豫含硅层；在所述驰豫含硅层的表面上形成应变硅层；在处理晶片的表面上形成介电层；接合所述供体晶片和所述处理晶片，以形成接合结构，其中在所述应变硅层与所述介电层之间形成接合界面；沿着所述驰豫含硅层内的分离平面分离所述接合结构，以便所述处理晶片上的所述应变硅层在其表面上具有厚度为至少约１０ｎｍ的剩余的驰豫含硅层；以及蚀刻所述分离的处理晶片，以基本上去除所述剩余的含硅层，从而暴露所述应变硅层的表面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-8-26 60/712,0221.一种制备绝缘体上应变硅结构的方法，所述方法包括以下步骤在供体晶片的表面上形成驰豫含硅层；在所述驰豫含硅层的表面上形成应变硅层；在处理晶片的表面上形成介电层；接合所述供体晶片和所述处理晶片，以形成接合结构，其中在所述应变硅层与所述介电层之间形成接合界面；沿着所述驰豫含硅层内的分离平面分离所述接合结构，以便所述处理晶片上的所述应变硅层在其表面上具有厚度为至少约10nm的剩余的驰豫含硅层；以及蚀刻所述分离的处理晶片，以基本上去除所述剩余的含硅层，从而暴露所述应变硅层的表面。2. 根据权利要求l的方法，其中所述驰豫含硅层的晶格常数与纯硅的 晶格常数显著不同。3. 根据4又利要求1的方法，其中所述驰豫含珪层包括SiGe。4. 根据权利要求3的方法，其中所述蚀刻包括使所述SiGe层与具有 大于3:1的SiGe:Si选择比的蚀刻剂接触。5. —种制备绝缘体上应变硅结构的方法，所述方法包括以下步骤 在供体晶片的表面上形成驰豫含硅层，所述驰豫含硅层包括具有至少约10。/。的Ge的SiGe;在所述驰豫含硅层的表面上形成应变硅层； 在处理晶片的表面上形成介电层；接合所述供体晶片和所述处理晶片，其中在所述应变硅层与所述介电 层之间形成接合界面；沿着所述驰豫含硅层内的分离平面分离所述接合结构，以便所述处理 晶片上的所述应变硅层在其表面上具有剩余的驰豫含硅层；以及蚀刻所述分离的处理晶片，以基本上去除所述剩余的含硅层，从而暴露所述应变硅层的表面，其中所述蚀刻包括将所述处理晶片暴露于具有至少约3:1的SiGe:Si选择比的蚀刻剂。6. 根据权利要求1或5的方法，其中所述蚀刻包括使所述剩余的驰豫 含硅层与包含氨的蚀刻剂接触。7. 根据权利要求1或5的方法，其中使用兆声搅拌进行所述蚀刻。8. 根据权利要求1或5的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：AM琼斯，L费，
申请(专利权)人：MEMC电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]