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本发明旨在一种绝缘体上应变硅（ＳＳＯＩ）结构，其具有改善的表面特性，例如降低的粗糙度、低的ＬＰＤ浓度以及较低的污染，本发明还旨在一种制造该结构的方法。...
该专利属于MEMC电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过MEMC电子材料有限公司授权不得商用。

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