【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。更详细的是涉及一种 具备适合于液晶显示装置等显示装置的薄膜晶体管等的半导体装置及 其制造方法、以及使用它们而得到的显示装置。
技术介绍
壯曰、， ，， 、— 、久「、 壯置，广泛地应用于例如音频设备、通信设备、计算机、以及家电设备等。尤其是，具备薄膜晶体管(以下也称为TFT，，)等的三端子有源元 件的半导体装置在广泛的领域被利用，用作有源矩阵型液晶显示装置 (以下也称为液晶显示器)等显示装置中的开关元件、控制电路等。近年来，在具备用于这样的液晶显示器等的TFT的半导体装置中， 强烈要求低功耗化，在TFT中也要求低功耗化。作为TFT的低功耗化 的方法，可以举出构成TFT的各构件的微细化等，尤其是必须通过配 置于半导体层和栅电极之间的栅绝缘膜的薄膜化来降低TFT的阈值电 压(Vth)。作为栅绝缘膜通常使用界面特性优越的氧化硅膜。在将包 括氧化硅膜的单层构造的栅绝缘膜薄膜化的情况下，TFT的低阈值工 作成为可能。但是在这种情况下，栅绝缘膜的击穿耐压下降、半导体 层和栅电极之间的漏电流增加等故障容易发生。此外，作为用于液晶显示器的TFT的半导体层，近...
【技术保护点】
一种半导体装置，具有多晶半导体层、栅绝缘膜以及栅电极以该顺序层叠在绝缘基板上的构造，该半导体装置其特征在于，该多晶半导体层其表面粗糙度是９ｎｍ以下，该栅绝缘膜具有如下的层叠构造，即：氧化硅膜设在多晶半导体层一侧、包括介电常数比氧化硅高的材料的膜设在栅电极一侧的层叠构造。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-11-2 319834/20051.一种半导体装置，具有多晶半导体层、栅绝缘膜以及栅电极以该顺序层叠在绝缘基板上的构造，该半导体装置其特征在于，该多晶半导体层其表面粗糙度是9nm以下，该栅绝缘膜具有如下的层叠构造，即氧化硅膜设在多晶半导体层一侧、包括介电常数比氧化硅高的材料的膜设在栅电极一侧的层叠构造。2. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述包括介 电常数比氧化硅高的材料的膜是氮化硅膜。3. 根据权利要求l所述的半导体装置，其特征在于，在多晶半导 体层和栅电极对置的区域中，上述氧化硅膜比包括介电常数比氧化硅 高的材料的膜的膜厚大。4. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述多晶半 导...
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