【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置和制造该半导体装置的方法，特别是，涉及包括 所谓光电探测器集成电路的，在光电探测器集成电 路中用作光电探测器装置的光敏二极管和半导体集成电路例如双极性集成电路或者MOS集成电路形成在相同的半导体基板上。
技术介绍
包括光电探测器集成电路(光电探测器IC)的半导体装置是其中用作光 电探测器装置的光敏二极管将光转换成电流并且进行信号处理的半导体装 置，这些信号处理例如为IV (电流到电压)转换和矩阵电路。下面参照图24描述已有的光电探测器IC半导体装置。如图24所示，光敏二极管201至204的阳极由P型硅基板210、 P型掩 埋层211和形成在P型硅基板210和P型掩埋层211上的低浓度P型外延层 212形成。多个阴极(在图24中为两个)由N型阴极区域214形成(例如， 参照曰本未审查专利申请公开第11-266033号或者曰本未审查专利申请公开 第2001-60713号)。另外，阳极采用P型阳极引出区域(leading-out region ) 213引出。此外，半导体集成电路的进行信号处理的元件(未示出)提供在 P型阳极引出区域213的外...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1. 一种在半导体基板上具有多个光敏二极管的半导体装置，其特征在于，该多个光敏二极管的阴极和阳极形成为与该半导体基板电独立，该多个光敏二极管具有公共阳极和多个分离的阴极，并且来自该公共阳极的输出被作为等效于该多个分离的光敏二极管输出的总和，或者该多个光敏二极管具有公共阴极和多个分离的阳极，并且来自该公共阴极的输出被作为等效于该多个分离的光敏二极管输出的总和。2、 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该光敏二极管形成在绝缘体上硅结构的半导体层中，该绝缘体上硅结构包括形成在该半导体 基板上的半导体层和在该半导体基板和该半导体层之间的绝缘层，该半导体 层由到达该绝缘层的沟槽隔离成多个部分，并且该公共阳极和该多个阴极提 供在该隔离的半导体层中，或者该公共阴极和该多个阳极提供在该隔离的半 导体层中。3、 根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该半导体层的厚 度大于光学吸收长度。4、 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，P型半导体基板 和N型半导体基板之一用作该半导体基板，该半导体装置包括形成在该半导体基板上的P型掩埋层，在该半导体基板和P型掩埋层之间有绝缘层；由浓度低于该掩埋层的浓度的P型层形成 在该掩埋层上的P型低浓度层；以及形成在该低浓度层的上层中用作该多个 阴极的N型层，并且由该低浓度层和该掩埋层形成的阳极区域由到达该半导体基板的隔离 区域分段和隔离，且该公共阳极由被该隔离区域分段和隔离的该掩埋层和该 低浓度层形成。5、 根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该掩埋层的厚度 大于光学吸收长度。6、 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该光敏二极管接 收从光盘反射的反射光，该半导体装置使用该公共阳极的输出作为RF信号， 并且该半导体装置使用该多个分离的阴极的输出进行聚焦信号处理和跟踪信号处理。7、 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，N型半导体基板和p型半导体基板之一用作该半导体基板，该半导体装置包括形成在该半导体基板上的N型掩埋层，在该半导体 基板和该N型掩模层之间有绝缘层；由浓度低于该掩埋层的浓度的N型层 形成在该掩埋层上的N型低浓度层；以及形成在该低浓度层的上层中用作该 多个阳极的P型层，并且由该低浓度层和该掩埋层形成的阴极区域被到达该半导体基板的隔离 区域分段和隔离，且该公共阴极由被该隔离区域分段和隔离的该掩埋层和该 低浓度层形成。8、 根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该掩埋层的厚度 大于光学吸收长度。9、 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在形成在该半导 体基板上并且导电类型与该半导体基板的导电类型相反的半导体层中形成 该光敏二极管，该半导体层由到达该绝缘层的PN结隔离来隔离成多个部分， 并且该公共阳极和该多个阴极形成在该隔离的半导体层中，或者该公共阴极 和该多个阳极形成在该隔离的半导体层中。10、 根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该半导体层的厚 度大于光学吸收长度。11、 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，N型半导体基板 用作该半导体基板，该半导体装置包括形成在该半导体基板上的P型...
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