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本发明提供一种即使栅电极被薄膜化也具有高击穿耐压和高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多晶半导体层、栅绝缘膜以及栅电极以该顺序层叠在绝缘基板上的构造，该半导体装置其特征在于，上述多晶半导体层其表面粗糙度是９ｎｍ以下，上述栅绝缘膜具...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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