具有粘接到其上的涂覆膜的部分的光刻设备制造技术

本发明专利技术公开了一种具有粘接到其上的涂覆膜的部分的光刻设备，所述光刻设备在所述设备的至少一部分上具有携带有涂层的可去除的粘合膜。在实施例中，公开了一种液体供给系统，所述液体供给系统具有液体限制结构，所述液体限制结构沿着在投影系统和衬底支撑件之间的空隙的边界的至少一部分延伸，其中携带有涂层的膜位于所述液体限制结构的至少一部分上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻设备以及一种用于制造器件的方法。技术背景光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在 这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于 生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例 如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、 一个或多个管芯) 上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材 料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部 分的网络。公知的光刻设备包括所谓步迸机，在所述步进机中，通过将 全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫 描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(扫描方向)扫描所 述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一 个目标部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上，将 所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。所述光刻设备可以是其中衬底可以被具有相对高折射率的液体(例如 水)浸没的类型，以便填充投影系统的最终元件和衬底之间的空隙。浸没 液也可以被应用到光刻设备中的其他空隙中(例如在所述掩模和投影系统 的第一元件之间)。浸没式光刻在美国专利申请公开出版物 No.US2004/0119954和PCT专利申请公开出版物No.WO2004/093160中被提及。
技术实现思路
在浸没式光刻设备中，被浸湿的表面的接触角可能是很大的。然而，在使用中，例如由于辐射曝光、机械接触等，接触角可能变小。浸没液的 使用也可能或可选地导致在投影系统、衬底支撑件或者在所述液体或可能 从所述液体发出的蒸汽附近的光刻设备的其他部分上的污染。例如，污染 物可能残留在可能存在于衬底支撑件上的传感器上。这可能导致在例如将 衬底与图案形成装置对齐方面的误差和/或所述传感器的寿命的降低。可能在光刻设备中出现的附加的或替代的问题是污染物在所述设备 的至少一个部分(例如传感器)上的沉积和形成。这种污染物可能源自例 如抗蚀剂处理外的沥滤产品。污染物的沉积可能依赖于沉积的位置，导致 涉及例如上述接触角、设备部件的寿命、对准、调平、传感器光栅恶化和 /或辐射阻挡等关键问题。局部薄膜密封可能被用在浸没式光刻设备的衬底支撑件的顶表面上， 以便保护其免受浸没液的影响。然而，所述局部独立的薄膜密封可能需要 局部的亲水间隙和/或形成高度台阶。为此，浸没液可能残留，且可能产 生所不希望的力。进而，光刻设备的衬底支撑件的顶表面的一部分可能局部涂覆有涂层，以便保护其免受紫外(uv)辐射。然而，这些局部涂层例如由于使用中的所不希望的接触和/或劣化而造成磨损，引起表面亲水性能的变化。 涂层的损坏导致被所述涂层所保护的部分的高成本的替换或整修，在该情 况下所述被保护的部分为衬底支撑件。存在用于施加涂层的多种方法，例如化学气相沉积和离子束溅射。主 要采用这些途径的系统被设计以非常精确地涂覆所需的表面。因此，它们 很昂贵，并需要大量的建立时间。相应地，旨在例如提供一种光刻设备，所述光刻设备恰当地被保护，而免受来自例如uv辐射和/或浸没液的负面影响。根据本专利技术的实施例，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括照射系统，所述照射系统配置用于调节辐射束； 支撑件，所述支撑件配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置 能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，以形成图案化的辐射束； 衬底支撑件，所述衬底支撑件配置用于保持衬底； 投影系统，所述投影系统配置用于将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；以及可去除的粘合膜，所述粘合膜在所述设备的至少一部分上携带有涂层。根据本专利技术的实施例，提供一种器件制造方法，所述方法包括-将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束；采用光刻设备，将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，可 去除的粘合膜在所述设备的至少一部分上携带有涂层； 对被投影的衬底进行显影；以及 由所述被显影的衬底制造器件。附图说明在此仅借助示例，参照所附示意图对本专利技术的实施例进行描述，在所 附示意图中，相同的附图标记表示相同的部分，且其中-图l示出根据本专利技术的实施例的光刻设备； 图2是图1的衬底支撑件的俯视图； 图3是图2的放大侧向示意图；图4是根据本专利技术的实施例的浸没式光刻设备；以及图5是具有图4所示浸没罩的衬底支撑件的局部放大图。具体实施方式图l示意性地示出根据本专利技术的一个实施例的光刻设备。所述设备包 括照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B (例如，紫外辐射或 任何其他合适的辐射)；图案形成装置支撑件(例如掩模台)MT，配置用 于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确 地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连。所述设备也包括衬底支撑 件(例如衬底台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片) W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相 连。所述设备还包括投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，所述投影 系统PS配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W 的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。所述照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射 型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合，以 引导、成形、或控制辐射。图案形成装置支撑件以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计 以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图 案形成装置。所述图案形成装置支撑件可以采用机械的、真空的、静电的 或其他夹持技术保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑件可以是框架 或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述图案形成装置 支撑件可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。 在这里任何使用的术语掩模版或掩模都可以认为与更上位的术语 图案形成装置同义。这里所使用的术语图案形成装置应该被广义地理解为表示能够用 于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成 图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标 部分上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特 征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定 的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括 掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻 中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型 相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的 示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿 不同方向反射入射的辐射束。所述己倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射 镜矩阵反射的辐射束。应该将这里使用的术语投影系统广义地解释为包括任意类型的投 影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光 学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如 使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语 投影本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻设备，所述光刻设备包括：　照射系统，所述照射系统配置用于调节辐射束；　支撑件，所述支撑件配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，以形成图案化的辐射束；　衬底支撑件，所述衬底支撑件配置用于保持衬底；　投影系统，所述投影系统配置用于将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；以及　可去除的粘合膜，所述粘合膜设置在所述设备的至少一部分上并携带有涂层。

【技术特征摘要】
US 2007-6-19 11/812,5071.一种光刻设备，所述光刻设备包括照射系统，所述照射系统配置用于调节辐射束；支撑件，所述支撑件配置用于支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束，以形成图案化的辐射束；衬底支撑件，所述衬底支撑件配置用于保持衬底；投影系统，所述投影系统配置用于将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上；以及可去除的粘合膜，所述粘合膜设置在所述设备的至少一部分上并携带有涂层。2. 根据权利要求l所述的光刻设备，还包括液体供给系统，所述液体 供给系统具有液体限制结构，所述液体限制结构沿着在投影系统和衬底支 撑件之间的空隙的边界的至少一部分延伸，携带有所述涂层的所述膜位于 所述液体限制结构的至少一部分上。3. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中所述携带有所述涂层的所述 膜位于设备的、在设备的操作过程中被辐射曝光的至少一部分上。4. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中所述携带有所述涂层的所述 膜位于(i)照射系统、或(ii)图案形成装置支撑件、或(iii)衬底支撑 件、或(iv)投影系统、或(v)选自从(0至U (iv)的任意组合中的至 少一部分上。5. 根据权利要求4所述的光刻设备，其中所述携带有所述涂层的所述 膜位于所述衬底支撑件的顶表面的至少一部分上。6. 根据权利要求5所述的光刻设备，其中所述携带有所述涂层的所述 膜大致覆盖所述衬底支撑件的整个顶表面。7. 根据权利要求5所述的光刻设备，其中所述携带有所述涂层的所述 膜覆盖所述衬底支撑件的顶表面，在所述衬底支撑件中为位于所述顶表面中的至少一个器件而设置的至少一个开口除外。8. 根据权利要求7所述的光刻设备，其中位于所述顶表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：保尔阿斯马丁内斯列布瑞格蒂斯，门诺费恩，埃瑞克罗艾尔洛夫鲁普斯卓，罗纳德范德汉姆，威廉姆斯弗朗西斯克约翰内斯西蒙斯，丹尼尔约瑟夫玛丽亚迪瑞克斯，弗朗西斯克斯约翰内斯约瑟芬詹森，哥特简杰拉尔达斯约翰内斯托马斯布兰德斯，考恩斯蒂芬斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]