光刻设备和器件制造方法技术

本发明专利技术公开了通过先或者后曝光衬底上的一个或多个边缘器件而减少衬底在主光刻设备内花费的曝光时间的光刻设备和器件制造方法。由于边缘器件最终不会形成有用装置，所以所述边缘器件可以采用第一光刻装置进行曝光，所述第一光刻装置具有比用于曝光一个或多个由所述衬底生成的其它完整器件的分辨率低的分辨率。因此，对边缘器件的先或者后曝光可以采用更低复杂度的以及成本更低的光刻装置进行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻设备和一种使用光刻技术制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在 这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于 生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例 如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分器件、 一个或多个器件) 上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材 料(抗蚀剂)层上。通常，单独的衬底将包含连续形成图案的相邻目标部 分的网络。公知的光刻设备包括所谓步进机，在所述步进机中，通过将 全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫 描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(扫描方向)扫描所 述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一 个目标部分。还可以通过将所述图案压印(imprinting)到所述衬底上，将 所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。在对衬底的曝光以及后续的处理步骤之后(例如蚀刻)，通常在所述 衬底上生成一个或更多个器件。这种器件可以指管芯。以后这些器件 被用于例如IC的制造中。 一个或多个器件在形状上基本是方形的或矩形 的，而衬底本身在形状上通常基本是圆形的。这样， 一个或多个不完整器 件(在这之后称作边缘器件)形成于围绕大致为圆形的衬底的周边(或者 围绕非圆形的衬底的周围)。目标部分可以只包括边缘器件，目标部分可 以包括边缘器件和完整器件，目标部分可以只包括完整器件。所有的有用 装置都不是由边缘器件形成的，因此所述衬底的这部分被浪费了。然而，例如为了增强后续对所述衬底的处理步骤(例如，诸如蚀刻和化学机械抛光(CMP))的一致性，并且减少和/或均匀化场外的杂散辐射 的影响，仍旧期望对包含边缘器件的目标部分进行曝光。因此，对所述衬 底边缘面积进行曝光，通过确保更少的完整器件失效，能够增强，例如， 由所述衬底生产的完整器件的总成品率，不过这也显著降低了吞吐量。
技术实现思路
期望例如增加衬底的吞吐量。根据本专利技术的一个方面，提供了一种光刻设备，所述光刻设备包括 第一光刻装置，设置用于将第一图案投影到衬底上；以及 第二光刻装置，设置用于将第二图案投影到所述衬底上，其中所述第一光刻装置和第二光刻装置包含在同一壳体内。根据本专利技术的一个方面，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括第一光刻装置，所述第一光刻装置设置用于将第一图案投影到衬底上；以及第二光刻装置，所述第二光刻装置设置用于将第二图案投影到所述衬底上，其中-所述第一光刻装置和第二光刻装置包含在同一壳体内， -所述第一光刻装置配置用于投影具有第一分辨率的第一图案，以及第二光刻装置配置用于投影具有第二分辨率的第二图案，所述第二分辨率要比第一分辨率低，并且-所述第一光刻装置是双台光刻设备，包括曝光站，所述曝光站配置用于曝光衬底；测量站，所述测量站包括配置用于曝光衬底的第二光刻装置；以及测量装置，所述测量装置配置用于在衬底上进行测量。根据本专利技术的一个方面，提供一种器件制造方法，所述方法包括 使用所述第一光刻装置对衬底的目标部分进行曝光，所述衬底的目标部分完全包含在所述衬底的边界内，但是不使用所述第一光刻装置对与所述衬底的边界相交的目标部分进行曝光；以及使用第二光刻装置对没有使用所述第一光刻装置曝光的衬底的目标部分进行曝光，其中使用所述第一光刻装置的曝光所进行曝光的目标部分与使用所 述第二光刻部分进行曝光的目标部分在同一抗蚀剂层上，并且其中使用所述第二光刻装置对衬底上的区域进行曝光，如果使用所述第一光刻装置进 行曝光，该区域将是延伸超出所述衬底的边缘的目标部分的一部分。附图说明在此仅借助示例，参照所附示意图对本专利技术的实施例进行描述，在所 附示意图中，相同的附图标记表示相同的部分，且其中 图l示出根据本专利技术的实施例的光刻设备； 图2示出了曝光前的衬底，但连同所述装置一起示出；图3示出了对多个边缘器件曝光后的衬底，-图4示意性示出了根据本专利技术的实施例的光刻设备；图5示出了准备用于对边缘器件进行曝光的数据和使用所述数据对边 缘器件进行曝光的方法和装置；以及图6示出了根据本专利技术的实施例的光刻装置。具体实施例方式图1示意性地示出根据本专利技术的实施例的光刻设备50。所述设备包括 第一光刻装置70和第二光刻装置60。第一光刻装置70包括-照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B (例如，紫外(UV)辐射或深紫外(DUV)辐射)； -支撑结构(例如掩模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连； -衬底台(例如晶片台)WTa，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PWa相连；以及-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PL，所述投影系统PL配置 用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如包括一个或多个器件)上。 下面进一步介绍第二光刻装置60。所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件、或其任意组合，以引导、 成形、或控制辐射。支撑结构以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如图 案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。 所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保持图案 形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固 定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语掩模版或掩模 都可以认为与更上位的术语图案形成装置同义。这里所使用的术语图案形成装置应该被广义地理解为表示能够用 于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成 图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标 部分上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特 征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定 的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括 掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻 中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型 相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的 示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿 不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射 镜矩阵反射的辐射束。应该将这里使用的术语投影系统广义地解释为包括任意类型的投 影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光 学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如 使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语 投影透镜可以认为是与更上位的术语投影系统同义。如这里所示的，第一光刻装置70是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，第一光刻装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻设备，包括：　第一光刻装置，设置用于将第一图案投影到衬底上；以及　第二光刻装置，设置用于将第二图案投影到所述衬底上，　其中所述第一光刻装置和第二光刻装置包含在同一壳体内。

【技术特征摘要】
US 2007-8-15 11/889,7221.一种光刻设备，包括第一光刻装置，设置用于将第一图案投影到衬底上；以及第二光刻装置，设置用于将第二图案投影到所述衬底上，其中所述第一光刻装置和第二光刻装置包含在同一壳体内。2. 根据权利要求l所述的光刻设备，其中第一光刻装置配置用于投影具有第一分辨率的第一图案，以及 第二光刻装置配置用于投影具有第二分辨率的第二图案，所述第二分 辨率比第一分辨率低。3. 根据权利要求2所述的光刻设备，其中第二光刻装置包括配置用于 将第二图案赋予辐射束的可编程图案形成装置。4. 根据权利要求2所述的光刻设备，其中第二光刻装置包括配置用于 将第二图案赋予辐射束的干涉系统，所述干涉系统包括光栅，配置用于将所述辐射束分成至少两个辐射束；以及 反射镜，配置用于引导该至少两个辐射束，以使得所述至少两个辐射 束在所述衬底上干涉。5. 根据权利要求2所述的光刻设备，其中第一光刻装置包括第一投影系统，以及第二光刻装置包括第二投影系统，第二投影系统具有比第一投影系统 的数值孔径更低的数值孔径。6. 根据权利要求2至5中任一项所述的光刻设备，其中第一和第二光 刻装置配置用于同时分别对第一和第二衬底曝光。7. 根据权利要求6所述的光刻设备，进一步包括第一衬底台，所述第一衬底台配置用于保持第一衬底；第二衬底台，所述第二衬底台配置用于保持第二衬底；以及 传递装置，所述传递装置配置用于使得第一和第二衬底台分别从第二光刻装置传递到第一光刻装置。8. 根据权利要求2至5中任一项所述的光刻设备，其中第二光刻装置包括配置用于保持衬底的衬底台，所述衬底台能够围绕与所述衬底的平面 大致垂直的轴线旋转。9. 根据权利要求2所述的光刻设备，其中第一光刻装置是双台光刻设 备，包括曝光站，配置用于对衬底曝光；以及 测量站，所述测量站包括所述第二光刻装置，配置用于对衬底曝光，以及 测量装置，配置用于在衬底上进行测量。10. 根据权利要求9所述的光刻设备，其中第二光刻装置包括配置用 于将第二图案赋予辐射束的可编程图案形成装置。11. 根据权利要求9所述的光刻设备，其中第二光刻装置包括配置用 于将第二图案赋予辐射束的干涉系统，所述干...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱德克斯玛丽多米尼克斯斯多尔德瑞杰，埃瑞克罗洛夫鲁普斯卓，简伯纳德普莱彻尔墨斯范斯库特，蒂德瑞克简马阿斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]