在半导体连接垫上的金属凸块形成方法技术

本发明专利技术涉及在半导体连接垫上的金属凸块形成方法，其主要是在已完成凸块下金属层（ｕｎｄｅｒ　ｂｕｍｐ　ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ，ＵＢＭ）的半导体组件，先借着绝缘胶膜将金属箔热压合至具有凸块下金属层的半导体组件之上，再在该凸块下金属层上形成导孔，并利用无电解沉镀及电镀在此导孔中形成金属凸块。如此，就可利用电镀形成各种高导电性金属的金属凸块，而不仅限于常用的金或锡铅，并且在形成凸块时，绝缘胶膜也可保护连接垫。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种金属凸块形成方法，尤其是在半导体连接垫上的金属凸 块形成方法。
技术介绍
为了让半导体组件能够进行覆晶封装，在芯片上必须要具有凸块电极。凸块电极可大致分为两个部分，其一为凸块下金属层(under bump metallurgy, UBM)，而另一为金属凸块本身。凸块下金属层则通常包含三层金属，即可由黏附层(adhesion layer)、阻 障层(barrier layer)、接合层所组成。这其中，黏附层的材质可为铝或铬；阻 障层的材质可为铜、铅、铂；接合层的材质可为金。上述金属凸块的材质可大 致分成锡铅凸块与金凸块(goldBump)这两大类。在凸块下金属层上形成锡铅凸块，主要采用电镀法与印刷法这两大类。在 电镀法中，先在凸块下金属层之上形成图案化(即经曝光显影后)的抗电镀膜， 然后基于抗电镀膜而在凸块下金属层电镀出锡铅凸块。若是采用印刷法时，则 先利用钢板将锡膏印刷在凸块下金属层上，然后利用热烧熔该锡膏，而使其固 化成金属凸块。然而，不论是电镀法与印刷法所形成的锡铅凸块，都存在着气 泡多极容易脱落等问题，而导致制程良率偏低。若是为了符合后续制程(例如TCP、 COG)的需要，则会利用类似于电 镀锡铅凸块的电镀手段，而在凸块下金属层上电镀出金凸块。另一种方法，可 利用特制打线机，在凸块下金属层上重复进行数次打球(先将金线烧结成圆球 状)，直到金凸块的高度符合需求为止。然而，金凸块本身材料成本偏高，无 法普及。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种在半导体连接垫上的金属凸块形成方 法，借着从多种可选择的金属材料中，选择其中一种或多种金属材料，并利用无电解沉镀及电镀在芯片上形成金属凸块，以便进行下一阶段的封装或组装， 并且芯片与凸块之间的结合处，除了有金属本身的结合力以外，还有绝缘胶膜 所具有的粘着性结合力，而提供了更稳固的结合方式。基于上述目的，本专利技术，其主要是在已完成凸块下金属层(under bump metallurgy, UBM)的半导体组件，先 借着绝缘胶膜将金属箔热压合至具有凸块下金属层的半导体组件之上，再在该 凸块下金属层上形成导孔，并利用无电解沉镀及电镀在此导孔上形成金属凸 块。如此，就可利用无电解沉镀及电镀形成各种高导电性金属的金属凸块，而 不仅限于金及锡铅，并且在形成凸块时，绝缘胶膜也可保护连接垫与金属凸块 的结合。关于本专利技术的优点与精神可以借由以下的专利技术详述及附图得到进一步的 了解。 附图说明图1A 1H是本专利技术的示意图。 主要元件符号说明 10半导体组件 12连接垫 14保护层 16凸块下金属层 18绝缘胶膜 20金属箔 22导孔24无电解金属层 26抗电镀膜 28金属凸块 具体实施例方式请参阅图1A 1H，图1A 1H是本专利技术在半导体连接垫上的金属凸块形成 方法的示意图。这其中，图1A所示的结构属于已知技术，而图1B 1H所示 的步骤则属本专利技术的主要步骤。如图1A图所示，在半导体组件IO上具有连接垫12、保护层14 (其覆盖于半导体组件10上且保持曝露出连接垫12)、凸 块下金属层16 ( under bump metallurgy, UBM)(覆盖住连4妾垫12 )。这其中， 保护层14可选择性施作。本专利技术金属凸块形成方法，其主要针对如图1A所示的已在连接垫12表 面完成凸块下金属层16 (under bump metallurgy, UBM)的半导体组件10,先 借着如图IB所示依序将金属箔20、绝缘胶膜18组合至具有凸块下金属层16 的半导体组件10之上，如图1C所示。接着，再如图ID所示在凸块下金属层 16上形成导孔22,并利用无电解沉镀及电镀在此导孔22上形成金属凸块28 (可为金、银、铜、锡、铅或其它高导电性金属)，如图1G所示。如此，不 但可从多种可选择的金属材料中，选择其中一种或多种金属材料，并利用无电 解沉镀及电镀在半导体组件10上形成金属凸块28,以便进行下一阶段的封装 或组装，并且半导体组件10与金属凸块28之间的结合处，除了有金属凸块 28与凸块下金属层16之间的金属本身的结合力以外，还有绝缘胶膜18对半 导体组件10表面及金属凸块28所具有的粘着性结合力，而提供了更稳固的结 合方式。在某段温度区间中，上述绝缘胶膜18为液态状或暂时固态状，以便如图 1C所示将其覆盖并粘着到半导体组件IO之上。然后，以预定时间对着绝缘胶 膜18施加足够的热量与压力，使得原本处于液态或暂时固态状的绝缘胶膜18 被固化成永久固态状，而使绝缘胶膜18紧密地结合至半导体组件IO表面上。在上述制程中，绝缘胶膜18可先覆盖在金属箔20上，再贴合在半导体 组件10上，或先在半导体组件10上覆盖绝缘胶膜18再粘接金属箔20。绝缘 胶膜可为液态或暂时固态状。若选用具有暂时固态状的绝缘胶膜18,于加温 加压过程中，绝缘胶膜18应具由暂时固态转成液态再转成永久固态的特性， 以保证与半导体组件10的接合。当如上所述完成了固化绝缘胶膜18之后，以及在电镀形成金属凸块28 之前，还需如图1D所示对准凸块下金属层16，利用雷射或化学蚀刻去除金属 箔20,再以雷射或曝光显影去除绝缘胶膜18,直到曝露出凸块下金属层16 并形成导孔22，然后利用无电解沉镀或离子賊镀在至少包括导孔22的壁面上 形成薄金属层24 (例如化学铜)，如图1E所示。为增加可靠性可接着在无电解金属层上镀上一层金属，然后在金属箔20上形成抗电镀膜26,如图1F所 示。抗电镀膜26未遮蔽住具有无电解金属层24的导孔22。最后，利用金属 箔20、无电解金属层24来传递电镀电流至凸块下金属层16，而在凸块下金属 层16上电镀出金属凸块28，如图1G所示。视后制程需要金属凸块可控制为 实心金属凸块或空心金属凸块，其形状可为圆柱、方柱、三角形柱、菱形柱、 星形柱、多角形柱或上述形状的结合形柱。接着，如图1H所示，去除抗电镀 膜26，以及利用雷射或化学蚀刻完全去除金属箔20，即完成金属凸点的制造， 抗电镀膜的厚度选择因所需金属凸块高度要求而定。若釆用先覆盖绝缘胶膜18于半导体组件10上，再黏贴金属箔20流程， 也可先将绝缘胶膜固化后，以雷射或曝光显影先在凸块下金属层16上方形成 导孔22,再都贴金属箔20并进行后续工艺如上节所述，或以无电解沉镀或离 子'减镀在绝缘胶膜18及导孔22孔壁形成薄金属层24,再以电镀加厚薄金属 层24至导电良好，然后在金属层上覆盖抗电镀膜26。此抗电镀膜需暴露出导 孔26，再进行电镀在凸块下金属层16上长出金属凸块28。在形成导孔22时，需先获知凸块下金属层16的位置。在分析方法中， 可先借着检视半导体组件10背面的预留光学点位置，以及此光学点与连接垫 12的坐标关系而获知凸块下金属层16的位置。另外也可以X射线仪器穿透金 属箔20直接检视凸块下金属层16的位置或枱二视半导体组件10预留的光学点 位置，并借着此光学点与连接垫12的坐标关系而获得凸块下金属层16的位置。借由以上较佳具体实施例的详述，是希望能更加清楚描述本专利技术的特征与 精神，而并非以上述所揭露的较佳具体实施例来对本专利技术的范畴加以限制。相 反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本专利技术所欲申请的权 利要求的范畴内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在半导体连接垫上的金属凸块形成方法，该形成方法包括：　提供具有连接垫的半导体组件；　在该半导体组件的连接垫上形成凸块下金属层（ｕｎｄｅｒ　ｂｕｍｐ　ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ，ＵＢＭ）；　依序将金属箔、绝缘胶膜组合至具有该凸块下金属层的该半导体组件之上；　对准该半导体组件的该凸块下金属层，去除该金属箔、该绝缘胶膜，直到曝露出该凸块下金属层；　在至少包括曝露出该凸块下金属层的导孔壁面上形成无电解金属层，也可再加一层金属层；　在该金属箔上形成抗电镀膜，该抗电镀膜未遮蔽住具有该无电解金属层的导孔；　利用该金属箔、该无电解金属层来传递电镀电流至该凸块下金属层，而在该凸块下金属层上电镀出金属凸块；以及　去除该抗电镀膜、该金属箔。

【技术特征摘要】
1.一种在半导体连接垫上的金属凸块形成方法，该形成方法包括提供具有连接垫的半导体组件；在该半导体组件的连接垫上形成凸块下金属层(under bump metallurgy，UBM)；依序将金属箔、绝缘胶膜组合至具有该凸块下金属层的该半导体组件之上；对准该半导体组件的该凸块下金属层，去除该金属箔、该绝缘胶膜，直到曝露出该凸块下金属层；在至少包括曝露出该凸块下金属层的导孔壁面上形成无电解金属层，也可再加一层金属层；在该金属箔上形成抗电镀膜，该抗电镀膜未遮蔽住具有该无电解金属层的导孔；利用该金属箔、该无电解金属层来传递电镀电流至该凸块下金属层，而在该凸块下金属层上电镀出金属凸块；以及去除该抗电镀膜、该金属箔。2. 如权利要求1所述的在半导体连接垫上的金属凸块形成方法，其中， 该半导体组件为集成电路、晶体管、闸流体或二极管等。3. 如权利要求1所述的在半导体连接垫上的金属凸块形成方法，其中， 该凸块下金属层可由教附层...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞宛伶，
申请(专利权)人：俞宛伶，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]