半导体处理中金属沉积的方法及系统技术方案

本发明专利技术提供一种用于半导体处理中金属沉积的方法及系统，该系统包含：镀覆用具，其具有各自含有一种个别电解质溶液的一个或多个镀覆槽；一个或多个补给区段，各自流体地连接至一个或多个镀覆槽的个别的其中一个；一个或多个排液区段，各自流体地连接至一个或多个镀覆槽的个别的其中一个；以及控制系统，适用于操作该一个或多个补给区段及/或该一个或多个排液区段以维持电解质溶液的至少一个条件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种用于半导体处理中金属沉积的设备和方法。本专利技术的实施例可关于形成焊料凸块及/或形成下凸块镀金属结构，用以提供接触区使适当形成的封装件或承载基板与带有集成电路的晶粒直接附着。
技术介绍
在制造集成电路时，通常需要将芯片封装，以及需要提供连接芯片电路与周边的弓I线及接点。在某些封装技术中，芯片、芯片封装件或其它适用的单元可借由焊料球或任何其它导电性材料而连接，该导电性材料是由形成在至少一个单元(例如微电子芯片的介电钝化层)的对应层(在此称为接触层)上，所谓的焊料凸块所形成。为了连接微电子芯片与对应的承载体，而将待连接的两个个别单元的表面(亦即，微电子芯片包含例如多个集成电路及对应的封装件)于其上形成适当的垫排列以电性连接该两个单元，在回焊后将凸块提供于至少一个单元上，例如于微电子芯片上。在其它技术中，凸块可形成为与对应的导线连接，或可使凸块与作用为散热器的另一基板的对应的垫区域接触。结果，可能必须形成布满整个芯片区域的大量凸块，因而提供例如通常包括复杂电路(诸如微处理器、储存电路及类似者)及/或包括形成完整的复杂电路系统的多个集成电路的现代微电子芯片所需要的输入/输本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体处理中金属沉积的系统，该系统包含:镀覆用具，具有各自用以容纳一种个别的电解质溶液的一个或多个镀覆槽；一个或多个补给区段，各自流体地连接至该一个或多个镀覆槽的个别的一个；一个或多个排液区段，各自流体地连接至该一个或多个镀覆槽的个别的一个；以及控制系统，适于操作该一个或多个补给区段及该一个或多个排液区段的至少其中一个，以维持该个别电解质溶液的至少一个条件。

【技术特征摘要】
2011.10.05 US 13/253,1851.一种用于半导体处理中金属沉积的系统，该系统包含 镀覆用具，具有各自用以容纳一种个别的电解质溶液的一个或多个镀覆槽； 一个或多个补给区段，各自流体地连接至该一个或多个镀覆槽的个别的一个； 一个或多个排液区段，各自流体地连接至该一个或多个镀覆槽的个别的一个；以及 控制系统，适于操作该一个或多个补给区段及该一个或多个排液区段的至少其中一个，以维持该个别电解质溶液的至少一个条件。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，该个别电解质溶液的该至少一个条件包含该电解质溶液的总体积、镀覆槽中该电解质溶液的填充水位、关于该电解质溶液中至少一个电极的浸入深度的该电解质溶液的参数、溶解于该电解质溶液中至少一种成分的浓度、该电解质溶液的温度、该电解质溶液中所含的至少一种物质的量、流过至少一个电极的电流、该电解质溶液的电阻、该电解质溶液的导电性、pH值及类似者的至少其中一个。3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，各排液区段及各补给区段的至少其中一个包含泵浦。4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，各排液区段及各补给区段的至少其中一个还包含流体地连接至该泵浦的容器。5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，各补给区段及各排液区段的至少其中一个包含闸门及贮槽，其中，各闸门组构成流体地连接各贮槽至该一个或多个镀覆槽。6.根据权利要求1所述的系统，还包含一个或多个连接至该一个或多个镀覆槽的传感器。7.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，该控制系统组构成于分离的步骤中接连地操作该一个或多个补给区段及该一个或多个排液区段的至少其中一个。8.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，该控制系统组构成同时地操作该一个或多个补给区段及该一个或多个排液区段的至少其中一个。9...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·施罗伊夫，M·皮亚茨纳，R·博兰，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：