氧化镁单晶蒸镀材料及其制造方法技术

一种单晶ＭｇＯ蒸镀材料，其作为靶材用于使用以电子束蒸镀法为首的真空蒸镀法在基板上形成ＭｇＯ膜，其中，该单晶ＭｇＯ蒸镀材料防止产生喷溅，提高优异的膜特性例如用作ＰＤＰ用保护膜时的放电特性等而未减小蒸镀时的成膜速度。一种氧化镁（２００）面的摇摆曲线的半值宽度为０．００５～０．０２５度的氧化镁单晶蒸镀材料、以及包括破碎氧化镁单晶的工序的氧化镁单晶蒸镀材料制造方法，其中，所述破碎工序包括通过以－５～＋５度范围内的角度，使刃状冲击体对氧化镁（１００）面方位进行冲击，以将其解理的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种氧化镁(MgO)单晶蒸镀材料及其制造方 法，该氧化镁单晶蒸镀材料在例如使用电子束蒸镀法、离子镀 法等真空蒸镀法制造等离子显示面板(以下，称为PDP，，)用保护膜时，被用作蒸镀源。
技术介绍
利用了放电发光现象的PDP正作为易大型化的平面显示器 进行开发。透明电极被玻璃电介体覆盖的结构的AC型PDP为了 防止因离子沖击的溅射导致电介体表面变质、放电电压上升， 通常在该电介体上形成保护膜。该保护膜被要求具有低的放电 电压且耐溅射性优异。作为满足该要求的保护膜， 一直使用MgO膜。MgO膜的耐 溅射性优异且为二次电子的发射系数大的绝缘物，因而，可降 低放电起始电压，有助于PDP的长寿命化。现在，通常用MgO蒸镀材料，通过电子束蒸镀法、离子镀 法等真空蒸镀法在电介体上形成MgO膜。作为MgO蒸镀材料使 用高纯度MgO多晶的烧结体、破碎MgO单晶而得到的物质等。M g O多晶烧结体成膜速度慢且成膜时易产生蒸镀材料的 飞散(喷溅)，因而难以得到均匀的保护膜。因此，提出了这样 的方案通过使用高纯度且高密度的将平均晶体粒径控制在特 定范围的MgO多晶的烧结颗粒、或者使用高纯度且高密度的将 碳含量控制在特定量以下的MgO多晶的烧结颗粒作为蒸镀材 料，从而减少蒸镀时产生喷溅，得到均匀的保护膜(专利文献l、 专利文献2 )。另外，提出了这样的方案通过限定由MgO多晶烧结体形 成的蒸镀材料的体积、表面粗糙度，增加电子束照射区域的蒸 镀材料的实际表面积，提高成膜速度(专利文献3、专利文献4 和专利文献5 )。然而，如上述那样对制造方法进行改良而纟寻到的MgO多晶 烧结体虽然表现出对提高蒸镀时的成膜速度、抑制产生喷溅具 有某种程度的效果，但仍难以说是可满足的保护膜。除此之外， 还存在这样的根本问题，即，多晶烧结体的晶界本来就晶格变 形集中，露出到蒸镀材料表面的晶界浓度易产生不均，因此 MgO的蒸发量易变动。另 一方面，作为用于得到MgO单晶蒸镀材料的生产率优异 的方法，采用以旋转刃产生的冲击力破碎MgO单晶的方法。破 碎MgO单晶而得到的蒸镀材料成膜速度比较快，可得到良好的 保护膜。然而，通过这样的破碎方法制得的MgO单晶蒸镀材料 由于其形状不定形等原因，会产生喷溅。因此，存在这样的问 题，即，特别是成膜于大型基板上时，难以得到具有均匀膜质 的保护膜。因此，通过相应于成膜装置、成膜条件最优化MgO的粒度， 实现了成膜速度与喷溅产生频率的平衡，兼顾生产率和膜质的 提高。这样使粒度最优化而得到的M g O单晶虽然可提高成膜速 度，但仍不能充分抑制喷溅的产生，从最后得到的MgO膜的均 质性的观点出发，还不能说可以满足。专利文献1 专利文献2 专利文献3 专利文献4 专利文献5曰本净争开平10 — 297956号乂>才艮 日本特开2000 - 63171号公报 曰本净争开2004 — 43955号7>净艮 曰本4争开2004 — 43956号7>才艮 日本特开2004 - 84016号7>净艮
技术实现思路
专利技术所要解决的问题本专利技术的目的在于，解决上述问题，提供一种MgO单晶蒸 镀材料及其制造方法，该MgO单晶蒸镀材料作为靶材用于使用 电子束蒸镀法、离子镀法等真空蒸镀法在基板上形成MgO膜， 并且该单晶MgO蒸镀材料可抑制喷溅并得到均质的MgO膜，而 不减少蒸镀时的成膜速度。用于解决问题的方法
本专利技术人采用MgO单晶作为MgO蒸镀材料的起始原料，并 针对将其用作真空蒸镀法中的蒸镀材料时，成为喷溅产生原因的因素反复进行了各种研究，结果发现MgO单晶的结晶性与喷 溅的产生紧密相关，通过将MgO( 200 )面的摇摆曲线的半值 宽度控制在规定的范围内，可防止喷溅的产生而不减小成膜速 度，从而完成了本专利技术。即，采用本专利技术，可提供一种MgO单晶蒸镀材料，其特征 在于，MgO( 200 )面的摇摆曲线的半值宽度为0.005 ~ 0.025度。上述MgO单晶蒸镀材料优选是具有15xl(T9 ~ 1200x10-9m3 的体积的大致长方体状的单晶。另外，在本专利技术中，大致长方 体状是指长方体、立方体、板状体等形状，另外，包括在这些 面形成有微小的高低差(阶梯)的形状等。另外，用于上述蒸镀材料的MgO单晶优选是通过电弧电熔 法制得的，并且MgO单晶的纯度为99.9质量％以上。另外，采用本专利技术，提供一种MgO单晶蒸镀材料的制造方 法，其包括破碎MgO单晶的工序，其中，所述破碎工序包括通 过以-5~ + 5度范围内的角度，使刃状冲击体对MgO ( 100) 面方位进行冲击，以将其解理的工序。对于上述方法，优选包括如下工序在石皮石卒工序之后，以1373K以上的温度、超过600秒的时间进4亍热处理的工序。 具体实施例方式本专利技术的MgO单晶蒸镀材料由MgO ( 200 )面的摇摆曲线 的半值宽度为0.005 ~ 0.025度的MgO单晶形成。该MgO ( 200 ) 面的摇摆曲线是表示蒸镀材料内部的MgO单晶的结晶性的好 坏和加工MgO单晶时导入到表面的晶格变形的程度的指标(参 考岩波理化学辞典第三版增补版1471页)。其半值宽度超过 0.025度时，虽然成膜速度提高，但MgO的蒸镀量的变动增大， 因而所得到的MgO保护膜的膜质显著降低。另外，半值宽度超过0.025度时，产生局部地导入了晶格变 形的区域的概率增加，其结果是多发喷溅的可能性增加。另一 方面，摇摆曲线的半值宽度越小越可得到膜质良好的保护膜， 但另一方面，有成膜速度降低的趋势。因此，半值宽度为0.005 度以上。优选为O.Ol ~ 0.025度。从生产率优异的观点出发，上述MgO单晶优选由电弧电熔 法制得。另外，可适合使用MgO单晶的纯度为99.9质量。/。以上 的物质。另外，由上述MgO单晶得到的本专利技术的MgO单晶蒸镀材 料，其为了通过控制晶格变形充分发挥防止产生喷溅的效果， 并且防止伴随着降低产生喷溅而有可能产生的成膜速度的减 小，优选MgO单晶蒸镀材料的体积为15xl0-9~ 1200xl(T9m3。 进一步优选的蒸镀材料的体积为25xl0-9 ~ 500x10-9m3。本专利技术的MgO单晶蒸镀材料按如下制得。如上所述，例如 通过电弧电熔法制造MgO单晶。接着，破碎该MgO单晶。在该 破碎工序中，以-5 ~ + 5度(以下，记做±5度)范围内的 角度，使刃状沖击体对解理面即MgO ( 100 )面方位进行沖击，由此解理MgO单晶，得到MgO单晶蒸镀材料。对上述MgO ( 100)面方位的角度超过士5度的范围时，对 M g O单晶蒸镀材料导入晶格变形的导入量过度增加，难以将摇 摆曲线的半值宽度控制在0.025度以下。冲击体对(100)面方 位的角度优选为±3度。另外，冲击体的形状必须为刃状。MgO单晶是容易沿(100) 面解理的NaCl型立方晶，当施加冲击时容易解理，可加工成大 致长方体状。然而，当冲击体具有例如铁锤这样的平面(二维) 形状、冰镐这样的突起状(零维即点状)形状等时，冲击力的 传达方向和解理的展开方向会产生偏差，因此破碎时导入晶格 变形。也就是说，冲击体必须是例如美工刃这样地可对MgO单 晶施加连续的一维冲击力的形状。这样，相比于施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化镁单晶蒸镀材料，其特征在于，氧化镁（２００）面的摇摆曲线的半值宽度为０．００５～０．０２５度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-1-26 018033/20051.一种氧化镁单晶蒸镀材料，其特征在于，氧化镁(200)面的摇摆曲线的半值宽度为0.005～0.025度。2. 根据权利要求l所述的氧化镁单晶蒸镀材料，所述氧化 镁单晶蒸镀材料是具有15xl0-9 ~ 120(^10-91113的体积的大致长 方体状的单晶。3. 根据权利要求1或2所述的氧化镁单晶蒸镀材料，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：东淳生，川口祥史，国重正明，
申请(专利权)人：达泰豪化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]