一种微米尺度有机小分子单晶材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种微米尺度有机小分子单晶材料的制备方法，该方法包括利用有机半导体材料在介电材料表面形成有机半导体纳米薄膜，并在无水无氧条件下将表面形成有有机半导体纳米薄膜的介电材料进行退火，使所述纳米薄膜转化为有机单晶纳米材料，再利用气相生长法使所述有机单晶纳米材料生长，以在介电材料表面形成微米尺度有机小分子单晶材料，其中，所述纳米薄膜的厚度为0.1-10nm。本发明专利技术方法在介电材料原位生成产物，单晶生长过程中晶粒不会受到污染或损坏，工艺简单而又易控制，具有一定的普适性；制得的微米尺度有机小分子单晶材料具有极好的晶体完整性、丰富的宏观形貌及一定分布范围的二维尺度等特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微米尺度有机小分子单晶材料的制备方法，以及由该方法制得的微米尺度有机小分子单晶材料。
技术介绍
目前，对有机单晶场效应晶体管的研究已经受到了广泛的关注，这不仅是因为有机单晶能够反映有机半导体最基本的材料特征，有利于对电子本质特性的研究；还因为单晶的晶界、电荷陷阱密度被减少到了最小，从而有可能达到比有机薄膜场效应晶体管更高的迁移率。另外，在实际应用中，有机单晶场效应晶体管具有突出的性能，与有机薄膜器件相比，有机单晶场效应晶体管具有更高的器件性能。现有技术中，生长有机单晶的方法有溶液法和物理气相沉积法等。但是这些方法制备的单晶用于器件制备均有着各自的局限性。溶液法制得的有机单晶不易分离，且晶体内存在大量缺陷；现有技术中物理气相沉积法的操作步骤是:将衬底和蒸发源置于水平反应器(石英管)中，在流动载气存在的条件下，通过利用管式炉加热蒸发源而在衬底上得到有机单晶，这样制得的有机单晶需要进行单晶转移步骤并使单晶附着于介电材料后才能用于器件，因此与介电材料的接触不好，界面质量差，而且操作较繁琐，单晶表面粗糙。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的缺点，提供一种直接在介电材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微米尺度有机小分子单晶材料的制备方法，其特征在于，该方法包括利用有机半导体材料在介电材料表面形成有机半导体纳米薄膜，并在无水无氧条件下将表面形成有有机半导体纳米薄膜的介电材料进行退火，使所述纳米薄膜转化为有机单晶纳米材料，再利用气相生长法使所述有机单晶纳米材料生长，以在介电材料表面形成微米尺度有机小分子单晶材料，其中，所述纳米薄膜的厚度为0.1?10nm。

【技术特征摘要】
1.一种微米尺度有机小分子单晶材料的制备方法，其特征在于，该方法包括利用有机半导体材料在介电材料表面形成有机半导体纳米薄膜，并在无水无氧条件下将表面形成有有机半导体纳米薄膜的介电材料进行退火，使所述纳米薄膜转化为有机单晶纳米材料，再利用气相生长法使所述有机单晶纳米材料生长，以在介电材料表面形成微米尺度有机小分子单晶材料，其中，所述纳米薄膜的厚度为0.l-10nm。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述纳米薄膜的厚度为0.8-3.2nm。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述纳米薄膜的制备方法为真空蒸发镀膜法，所述真空蒸发镀膜的条件包括沉积速度为0.001-0.0lnm/s，真空度为I X 10_5_1 X 10_7mbar，沉积时介电材料所处的温度为20-30°C，沉积时间为30-300S。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电...

【专利技术属性】
技术研发人员：江潮，金桥，李德兴，祁琼，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：